Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 福嶋 丈浩; 穴山 親志 | |
| 1995-03-31 | |
| 专利权人 | FUJITSU LTD |
| 公开日期 | 1995-03-31 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】斜面部分に共振器が形成される構造の半導体レーザに関し、半導体レーザのいきい値電流の上昇を抑え、電流注入効率を良くすること。 【構成】クラッド層26と活性層24の間に多重量子障壁層25を介在させるとともに、前記多重量子障壁層25の正孔に対するエネルギー障壁高さは、基板21の斜面の上の部分よりもその両側の平坦な部分の方が高くなっていることを含む。 |
| 其他摘要 | 目的：在斜面区域中形成谐振器的结构中，抑制半导体激光器的阈值电流的上升并提高关于半导体激光器的电流注入效率。组成：多量子阻挡层25插入在包层26和有源层24之间，同时多量子势垒层25对空穴的能垒高度被安排，使得基板21两侧的均匀区域可以是高于基板21的倾斜面积。 |
| 申请日期 | 1993-09-14 |
| 专利号 | JP1995086692A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1993229267 |
| 公开（公告）号 | JP1995086692A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01L29/06 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 岡本 啓三 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87474 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福嶋 丈浩,穴山 親志. 半導体レーザ. JP1995086692A[P]. 1995-03-31. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1995086692A.PDF（125KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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