Mask for selective formation of thin film

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	Mask for selective formation of thin film
其他题名	Mask for selective formation of thin film
	KOMATSU HIROSHI
	1989-08-29
专利权人	SEIKO EPSON CORP
公开日期	1989-08-29
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To enable self alignment to be performed and to improve both reproducibility and productivity, by a structure wherein a constitutive material is made to include an amorphous material in order to form a mask for selectively forming thin film which is used to selectively form a II-VI compound semiconductor thin film on a semiconductor substrate. CONSTITUTION:A semiconductor substrate having a DH structure is prepared in which a N type clad layer 102, an active layer 103, a P type clad layer 104 and a P type contact layer 105 are in this order formed on an N type GaAs substrate 10 Subsequently, an amorphous SiO2 thin film of about 3000Angstrom in thickness is deposited to the surface of the semiconductor substrate by means of a thermal CVD method. This SiO2 thin film is etched in a stripe shape through a photolithography process to form a SiO2 mask 106. Next, the DH structure is etched through the contact layer 105 to the upper section of the P type clad layer 104 by means of a sulfate etchant, using the SiO2 mask 106 as a protective layer for the etching. At this time, a rib 107 is formed in a reverse mesa shape only under the SiO2 mask 106. Thereafter, a ZnSe thin film layer 105 is so epitaxially grown on the surface of the DH structure as to bury the rid 107 therein by using the SiO2 mask 106 as a mask for selectively forming thin film.
其他摘要	目的：通过一种结构，使组成材料包括无定形材料，以形成用于选择性形成薄膜的掩模，用于选择性地形成II，从而能够进行自对准并提高再现性和生产率。 -VI化合物半导体薄膜在半导体衬底上。组成：制备具有DH结构的半导体衬底，其中N型覆层102，有源层103，P型覆层104和P型接触层105依次形成在N型GaAs衬底101上随后，借助于热CVD方法将厚度约为3000埃的非晶SiO2薄膜沉积到半导体衬底的表面上。通过光刻工艺将该SiO 2薄膜蚀刻成条形，以形成SiO 2掩模106.接着，通过硫酸盐蚀刻剂将DH结构通过接触层105蚀刻到P型覆层104的上部。，使用SiO2掩模106作为蚀刻的保护层。此时，仅在SiO2掩模106下面以反向台面形状形成肋107.此后，在DH结构的表面上外延生长ZnSe薄膜层105，以便通过使用SiO 2掩模106作为用于选择性地形成薄膜的掩模。
申请日期	1988-02-24
专利号	JP1989215089A
专利状态	失效
申请号	JP1988041244
公开（公告）号	JP1989215089A
IPC 分类号	G02B6/12 \| H01L21/36 \| H01L21/365 \| H01S5/00 \| H01S5/22 \| H01S5/223 \| H01L21/203 \| H01L21/208 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87364
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SEIKO EPSON CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	KOMATSU HIROSHI. Mask for selective formation of thin film. JP1989215089A[P]. 1989-08-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1989215089A.PDF（112KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文