Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Liquid-phase epitaxial growth method | |
其他题名 | Liquid-phase epitaxial growth method |
YAMAZAKI SUSUMU | |
1986-09-03 | |
专利权人 | FUJITSU LTD |
公开日期 | 1986-09-03 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | PURPOSE:To obtain an AlInAs thick-film lattice-aligning with an InP substrate by a solution having a composition fitted for a growth-start temperature by using an Al-In-As three-element solution and lowering the start temperature in succession. CONSTITUTION:InP having a (111) A face from which In atoms are exposed is used, and XAl 5.24X10TG-3.28X10 and XAs 7.81X10TG-0.45 are each selected in several growth-start temperature TG and a liquid-layer composition X of Al and As lattice-aligning with InP. A first layer is grown at TG=790 deg.C and temperature-drop width DELTAT=10 deg.C first, a second layer is grown at TG=780 deg.C and DELTAT=10 deg.C, and the thickness of several growth layer is limited in an extent that mirror surfaces are acquired. According to the constitution, a thick-film in 1mum or more consisting of AlInAs lattice-aligning with InP can be shaped through continuous multilayer growth, thus resulting in an advantageous state to the formation of an avalanche photodiode. |
其他摘要 | 目的:通过使用Al-In-As三元素溶液并具有适合于生长起始温度的组成的溶液并连续降低起始温度来获得与InP衬底对准的AlInAs厚膜晶格。构成:使用具有In原子暴露的(111)A面的InP,并且X 1 Al 5.24×10 -6 TG-3.28×10 -3和X 1 As 7.81×10 -4在几个生长起始温度TG和Al和As的液层组成X 1中分别选择TG-0.45与InP晶格取向。首先在TG = 790℃和温度下降宽度DELTAT = 10℃下生长第一层,在TG = 780℃和DELTAT = 10℃下生长第二层,厚度为几个生长层在获得镜面的程度上受到限制。根据该结构,通过连续的多层生长可以使由AlInAs与InP晶格取向组成的1um或更大的厚膜形成,由此导致形成雪崩光电二极管的有利状态。 |
申请日期 | 1985-02-28 |
专利号 | JP1986198718A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1985039121 |
公开(公告)号 | JP1986198718A |
IPC 分类号 | H01L31/107 | H01L21/208 | H01S5/00 | H01L33/00 | H01S3/18 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87339 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | FUJITSU LTD |
推荐引用方式 GB/T 7714 | YAMAZAKI SUSUMU. Liquid-phase epitaxial growth method. JP1986198718A[P]. 1986-09-03. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1986198718A.PDF(132KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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