Semiconductor laser array device

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	Semiconductor laser array device
其他题名	Semiconductor laser array device
	ITO KUNIO; WADA MASARU; SHIMIZU YUICHI
	1986-03-04
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	1986-03-04
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To obtain the titled device practically equivalent to the high output array with small input by a method wherein a current injected region is provided at a position shifted from immediately above the light emitting region consisting of three or more of light emitting points. CONSTITUTION:A high-resistant GaAs 2 is grown on an N type GaAs substrate 1 in vapor phase, and three windows 7 are opened. An N type Ga0.7Al0.3As 3, a Ga0.93Al0.07As 4, and P type Ga0.7Al0.3As 5, and an N type GaAs 6 are epitaxilly formed again. At this time, the active regions 8 are formed in the window 7 parts. Next, Zn is diffused in such a manner that the diffusion end comes to the center of the center window. Finally, electrodes 6 and 11 are attached. Injecting current through the Zn diffused region 9 causes the photo distribution of the active regions 8 to become very strong in light emission intensity at the end. In melting a point on a photo disk, melting with the low output in the array remnant after heating with light of the maximum photo density more saves the output of the whole array and is more efficient.
其他摘要	目的：通过一种方法获得实际上等效于具有小输入的高输出阵列的标题装置，其中电流注入区域设置在从由三个或更多个发光点组成的发光区域的正上方偏移的位置处。组成：高阻抗GaAs 2在气相N型GaAs衬底1上生长，并打开三个窗口7。再次外延形成N型Ga0.7Al0.3As3，Ga0.93Al0.07As4和P型Ga0.7Al0.3As5，以及N型GaAs6。此时，有源区8形成在窗口7的部分中。接下来，Zn以扩散端到达中心窗中心的方式扩散。最后，连接电极6和11。通过Zn扩散区域9注入电流使得有源区域8的光分布在最后的发光强度变得非常强。在熔化光盘上的一点时，在用最大光密度的光加热后用阵列残余物中的低输出熔化更加节省了整个阵列的输出并且更有效。
申请日期	1984-08-08
专利号	JP1986044488A
专利状态	失效
申请号	JP1984166177
公开（公告）号	JP1986044488A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/40 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87280
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	ITO KUNIO,WADA MASARU,SHIMIZU YUICHI. Semiconductor laser array device. JP1986044488A[P]. 1986-03-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1986044488A.PDF（108KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文