Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 上村 信行; 長谷川 義晃; 石橋 明彦; 原 義博; 木戸口 勲; 粂 雅博 | |
| 2006-04-14 | |
| 专利权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 公开日期 | 2006-06-28 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】 半導体発光素子の動作電圧を低減できるようにする。 【解決手段】 面方位が(0001)のサファイアよりなる基板11上には、上部に段差部を有するn型GaN層13が形成されている。n型GaN層13上における段差部の上段側には、活性層16bを含む多重量子井戸層16と、p型Al0.1Ga0.9Nよりなるp型クラッド層18と、p型GaN0.95P0.05よりなるコンタクト層20と、断面T字形で且つその脚部が酸化シリコンよりなる電流狭さく層21に囲まれたNiよりなる第1の金属膜22a及び該第1の金属膜22aの上にAuよりなる第2の金属膜22bが積層されてなる陽電極22とが形成されている。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：降低半导体发光元件的工作电压。解决方案：在由平面方向为（0001）的蓝宝石构成的基板11上形成在上部具有台阶部分的n型GaN层13。多量子阱层16，其包含有源层16a，由p型Al0.1Ga0.9N构成的p型覆层18，由p型GaN0.95P0构成的接触层20.05和阳极电极22，其形成为横截面近似为T形的第一金属膜22a，其腿部被由氧化硅构成的电流收缩层21包围并且由Ni和a构成。在n型GaN层13上的台阶部分的上台阶侧上形成层叠在第一金属膜22a上的由Au构成的第二金属膜22b。 |
| 申请日期 | 1997-04-25 |
| 专利号 | JP3792003B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997109114 |
| 公开（公告）号 | JP3792003B2 |
| IPC 分类号 | H01L | H01S | H01L33/40 | H01S5/343 | H01S5/323 | H01S5/042 | H01L33/06 | H01L33/00 | H01L33/32 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 前田 弘 | 小山 廣毅 | 小根田 一郎 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87273 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上村 信行,長谷川 義晃,石橋 明彦,等. 半導体発光素子. JP3792003B2[P]. 2006-04-14. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3792003B2.PDF（169KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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