Nitride semiconductor light emitting device

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Nitride semiconductor light emitting device
其他题名	Nitride semiconductor light emitting device
	KAWAGUCHI, YOSHINOBU; KAMIKAWA, TAKESHI
	2016-02-04
专利权人	SHARP KABUSHIKI KAISHA
公开日期	2016-02-04
授权国家	美国
专利类型	发明申请
摘要	A nitride semiconductor light emitting device includes a first coat film of aluminum nitride or aluminum oxynitride formed at a light emitting portion and a second coat film of aluminum oxide formed on the first coat film. The thickness of the second coat film is at least 80 nm and at most 1000 nm. Here, the thickness of the first coat film is preferably at least 6 nm and at most 200 nm.
其他摘要	氮化物半导体发光器件包括在发光部分处形成的氮化铝或氧氮化铝的第一涂层膜和在第一涂层膜上形成的氧化铝的第二涂层膜。第二涂层膜的厚度为至少80nm且至多1000nm。这里，第一涂膜的厚度优选为至少6nm且至多200nm。
申请日期	2015-10-13
专利号	US20160036197A1
专利状态	授权
申请号	US14/881523
公开（公告）号	US20160036197A1
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/028 \| H01S5/22 \| H01S5/223 \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01S5/28
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87242
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SHARP KABUSHIKI KAISHA
推荐引用方式 GB/T 7714	KAWAGUCHI, YOSHINOBU,KAMIKAWA, TAKESHI. Nitride semiconductor light emitting device. US20160036197A1[P]. 2016-02-04.