Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser element | |
| 其他题名 | Semiconductor laser element |
| KURIHARA HARUKI | |
| 1989-10-25 | |
| 专利权人 | TOSHIBA CORP |
| 公开日期 | 1989-10-25 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To obtain a semiconductor laser element of a structure having simple and excellent manufacturing yield by forming each clad layer in a 2-layer structure of a layer made of (AlyGa1-y)etaIn1-etaP (eta=approx. 0.5, x |
| 其他摘要 | 目的：通过在由（AlyGa1-y）etaIn1-etaP制成的层的2层结构中形成每个包层，获得具有简单和优异制造产率的结构的半导体激光元件（η=约0.5，x < y）在与有源层接触的一侧和在另一侧与AlzGa1-zAs制成的层。组成：在一个可见的半导体激光元件，一个晶体层是由一个大约20的有源层21的液晶生长方法形成的。 0.1mm厚度由对应于670nm振荡波长的P型GazetaIn1-zetaP（zeta =约0.5）材料制成，载体外壳层22由P型（AlyGa1-y）eta-1-etaP制成（ eta =约0.5）约。厚度为0.02μm，由P型Al0.6Ga0.4As层制成的光限制层23约为。厚度为0.3μm，由层23,22制成的下包层24，由N型（AlyGa1-y）ηIn1-etaP（η=约0.5）层制成的载体外壳层25。 0.02μm的厚度，由大约N型Al0.6Ga0.4As层制成的光外壳层26。厚度为0.3μm，由层25,26制成的上包层27和由N型GaAs材料制成的欧姆接触层28，用于获得欧姆电极。 |
| 申请日期 | 1988-04-20 |
| 专利号 | JP1989268179A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1988097946 |
| 公开（公告）号 | JP1989268179A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87215 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KURIHARA HARUKI. Semiconductor laser element. JP1989268179A[P]. 1989-10-25. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1989268179A.PDF（181KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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