Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor light emitting devices | |
| 其他题名 | Semiconductor light emitting devices |
| WANG, NANG, WANG; STEPHEN, SEN-TIEN, LEE | |
| 2000-06-07 | |
| 专利权人 | ARIMA OPTOELECTRONICS CORPORATION |
| 公开日期 | 2000-06-07 |
| 授权国家 | 英国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | The device has a window layer 8, a current spreading layer 7 below the window layer and a cladding layer 6 below the current spreading layer. The band gap energy of the spreading layer is higher than that of the window layer and lower than that of the cladding layer and the carrier concentration of the spreading layer is lower than that of the window layer and higher than that of the cladding layer. The active layer 5 may be a double hetero-junction or multi-quantum well layer and the device may be a light emitting diode or a laser diode. |
| 其他摘要 | 该器件具有窗口层8，位于窗口层下方的电流扩展层7和位于电流扩展层下方的包层6。扩散层的带隙能量高于窗口层的带隙能量并且低于包层的带隙能量，并且扩散层的载流子浓度低于窗口层的载流子浓度并且高于包层的载流子浓度。有源层5可以是双异质结或多量子阱层，并且该器件可以是发光二极管或激光二极管。 |
| 申请日期 | 1998-12-02 |
| 专利号 | GB2344457A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | GB1998026514 |
| 公开（公告）号 | GB2344457A |
| IPC 分类号 | H01S5/16 | H01S5/00 | H01S5/042 | H01L33/00 | H01S5/183 | H01S5/20 | H01L33/02 | H01L33/14 | H01L33/30 | H01S5/02 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87212 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ARIMA OPTOELECTRONICS CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | WANG, NANG, WANG,STEPHEN, SEN-TIEN, LEE. Semiconductor light emitting devices. GB2344457A[P]. 2000-06-07. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| GB2344457A.PDF（170KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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