Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 廣野 卓夫; 大橋 弘美; 関 俊司 | |
| 1996-02-27 | |
| 专利权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 公开日期 | 1996-02-27 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 p領域から離れた量子井戸に十分なホール注入が行えるような量子井戸構造を有する半導体レーザ装置を提供すること。 【構成】 半導体レーザ装置は結晶成長基板8上に下部クラッド層7、下部ガイド層6、活性層5、上部ガイド層4、上部クラッド層3、キャップ層2を順次結晶成長させ上部電極1、下部電極9をキャップ層2および結晶成長基板8の裏面上にそれぞれ設けてなる。この活性層は量子井戸層とこれより大なるバンドギャップを有する障壁層との間に遷移層を有し、その遷移層のバンドギャップの大きさは量子井戸層のバンドギャップに等しい値から障壁層のバンドギャップに等しい値まで連続的かつ単調に変化している。 |
| 其他摘要 | 目的：形成能够在远离P区域的量子阱中进行足够空穴注入的量子阱结构。组成：在这种半导体激光器件中，在晶体生长衬底8，下包层7，下引导层6，有源层5，上引导层4，上包层3和下面依次生长以下物质：在盖层2和晶体生长基板8的后部分别形成上电极1和下电极9。有源层在量子阱层和阻带层之间具有过渡层，阻挡层的带隙大于量子阱层。过渡层的带隙值连续且单调地从等于量子阱层的带隙的值变化到等于势垒层的带隙的值。 |
| 申请日期 | 1994-08-10 |
| 专利号 | JP1996056044A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994188317 |
| 公开（公告）号 | JP1996056044A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 谷 義一 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87170 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 廣野 卓夫,大橋 弘美,関 俊司. 半導体レーザ装置. JP1996056044A[P]. 1996-02-27. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1996056044A.PDF（25KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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