Manufacture of semiconductor laser

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	Manufacture of semiconductor laser
其他题名	Manufacture of semiconductor laser
	KAWAMA YOSHITATSU
	1990-12-13
专利权人	MITSUBISHI ELECTRIC CORP
公开日期	1990-12-13
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To obtain a semiconductor laser which can stably realize the width of an active region by implanting ions through the first mask so as to form a high resistance region which reaches the first conductivity type clad layer, and further implanting ion obliquely so as to form the second conductivity type region which contacts with the second conductivity type clad layer. CONSTITUTION:A P-type clad layer 2, an active layer 3 in MQW structure, and an n-type clad layer 4 are formed in order on a substrate Next, the first mask 5 in stripe shape is formed, and a high resistance region 6 is formed by implantation of high resistance impurity ions 6 reaching the P-type clad layer 2. At this time, the width of the active region 14 is controlled by the width of the first mask 5. Furthermore, n-type impurity ions 17 are implanted so that they may not reach the active layer 3 in MQW structure and may contact with the n-type clad layer 4 on it, whereby n-type regions 7 and 8 are formed. Next, the second mask 9 is formed from the n-type region 7 contacting with the n-type clad layer 4 until it exceeds the first mask 5, and through that mask 9 P-type impurity ion 18 implantation reaching the P-type clad layer 2 is done so as to form a P-type region 10.
其他摘要	目的：通过第一掩模注入离子，形成能够稳定地实现有源区宽度的半导体激光器，形成到达第一导电型包层的高阻区，并进一步倾斜地注入离子，从而形成第二导电类型区域，其与第二导电类型包层接触。组成：在基板1上依次形成P型覆层2，MQW结构的有源层3和n型覆层4.接下来，形成条形的第一掩模5，并且高通过注入到达P型覆层2的高电阻杂质离子6形成电阻区域6.此时，有源区域14的宽度由第一掩模5的宽度控制。此外，n型杂质注入离子17使得它们不能以MQW结构到达有源层3并且可以与其上的n型覆层4接触，由此形成n型区域7和8。接下来，第二掩模9由与n型覆盖层4接触的n型区域7形成，直到它超过第一掩模5，并且通过该掩模9 P型杂质离子18注入到达P型覆层完成层2以便形成P型区域10。
申请日期	1989-05-15
专利号	JP1990301180A
专利状态	失效
申请号	JP1989121913
公开（公告）号	JP1990301180A
IPC 分类号	H01L21/265 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87127
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MITSUBISHI ELECTRIC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	KAWAMA YOSHITATSU. Manufacture of semiconductor laser. JP1990301180A[P]. 1990-12-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1990301180A.PDF（177KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文