半導体レーザ装置およびその製造方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体レーザ装置およびその製造方法
其他题名	半導体レーザ装置およびその製造方法
	厚主文弘; 猪口和彦; 奥村敏之; 滝口治久
	2000-06-23
专利权人	シャープ株式会社
公开日期	2000-08-28
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To reduce a reactive current flowing in a current block layer, and prevent the contamination of an active layer, by forming a first clad layer on the bottom surface and the side surface of a stripe trench in a buried type semiconductor laser element, and isolating both ends of the active layer from both side surfaces of the stripe trench. CONSTITUTION:After a multilayer current blocking layer 102 is formed on a Zn-doped P-InP substrate having a (100) face, a stripe trench 112 is formed along the [011] direction by etching. Said trench 112 reaches the P-InP substrate 10 A first clad layer 103 of Zn-doped P-InP is grown on the (100) surface and the (III)B surface of the stripe trench. An active layer 104 of undoped GaInAsP is grown on the bottom surface of a stripe trench 115 of the first clad layer 103. A second clad layer 105 of Si-doped N-InP is grown on the bottom surface of the active layer 104 and on the side surface of the first clad layer 103. Thereby it can be prevented for the active layer to be contaminated by impurities, and the active layer width can be controlled with high precision.
其他摘要	用途：通过在埋入型半导体激光元件的条形沟槽的底表面和侧表面上形成第一覆层，减少在电流阻挡层中流动的无功电流，并防止有源层的污染，以及从条纹沟槽的两个侧表面隔离有源层的两端。组成：在具有（100）面的Zn掺杂P-InP衬底上形成多层电流阻挡层102后，通过蚀刻沿[011]方向形成条纹沟槽112。所述沟槽112到达P-InP衬底10Zn掺杂的P-InP的第一覆层103生长在条纹沟槽的（100）表面和（III）B表面上。在第一包层103的条形沟槽115的底表面上生长未掺杂的GaInAsP的有源层104.在有源层104的底表面上生长Si掺杂的N-InP的第二包层105。因此，可以防止有源层被杂质污染，并且可以高精度地控制有源层宽度。
申请日期	1990-09-06
专利号	JP3080643B2
专利状态	失效
申请号	JP1990237554
公开（公告）号	JP3080643B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/00 \| H01S5/223
专利代理人	山本秀策
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87063
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	厚主文弘,猪口和彦,奥村敏之,等. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP3080643B2[P]. 2000-06-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3080643B2.PDF（34KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文