Manufacture of semiconductor laser device

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	Manufacture of semiconductor laser device
其他题名	Manufacture of semiconductor laser device
	SAKUMA ISAMU
	1982-09-20
专利权人	NIPPON ELECTRIC CO
公开日期	1982-09-20
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To manufacture with ease a semiconductor laser device with excellent temperature properties by a method wherein a clad layer, active layer, light guiding layer, and clad layer are successively grown on a semiconductor substrate and then the lamination is etched into a ridge shaped light guiding layer. CONSTITUTION:Grown successively on an N type InP semiconductor substrate 10 are an N type InP clad layer 11, InGaAsP active layer 12, P type InGaAsP light guiding layer 13, and P type InP clad layer 14 by the liquid phase epitaxial method. An SiO2 film 20 is added which, next, serves as a mask in etching the semiconductor layers into a ridge. The etching depth is to be controlled so that the light guiding layer is 0.2-0.3mum thick. Then, by the liquid phase epitaxial method, a P type InP layer 15 is grown on both sides of the ridge. Lastly, an N type InGaAsP electrode layer 16 is formed and covers the entire surface, resulting in the completion of a Buried Rib Waveguide (BRW) type semiconductor laser device.
其他摘要	用途：通过一种方法制造具有优异温度特性的半导体激光器件，其中在半导体衬底上连续生长包层，有源层，导光层和包层，然后将层压板蚀刻成脊形灯引导层。组成：在N型InP半导体衬底10上依次生长N型InP包层11，InGaAsP有源层12，P型InGaAsP光导层13和P型InP包层14通过液相外延方法。添加SiO 2膜20，其接着用作将半导体层蚀刻成脊的掩模。控制蚀刻深度使得导光层的厚度为0.2-0.3μm。然后，通过液相外延法，在脊的两侧生长P型InP层15。最后，形成N型InGaAsP电极层16并覆盖整个表面，从而完成埋入式肋状波导（BRW）型半导体激光器件。
申请日期	1981-03-16
专利号	JP1982152180A
专利状态	失效
申请号	JP1981037569
公开（公告）号	JP1982152180A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/223 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87057
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NIPPON ELECTRIC CO
推荐引用方式 GB/T 7714	SAKUMA ISAMU. Manufacture of semiconductor laser device. JP1982152180A[P]. 1982-09-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1988042871B2.PDF（177KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文