Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 大郷 毅 | |
| 2006-12-14 | |
| 专利权人 | FUJIFILM HOLDINGS CORP |
| 公开日期 | 2006-12-14 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 傾斜基板を用いたInAlGaP系半導体レーザにおいて、ステップバンチングによる特性悪化を防止して、良好な静特性を得るとともに、長寿命化を達成する。 【解決手段】 面方位が傾斜している第一導電型GaAs基板21上に、少なくとも第一導電型Inx1(Al1-y1Gay1)1-x1P下部クラッド層(x1はGaAsに格子整合する組成)23とInGaPもしくはInAlGaPからなる量子井戸層25が積層されてなり、多重横モード発振する半導体レーザにおいて、第一導電型GaAs基板21として、面方位が(100)面から(111)A面方向に13度以上55度以下で傾斜している基板を用いる。 【選択図】図1 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供使用倾斜基板的InAlGaP基半导体激光器，以防止由于阶梯聚束引起的特性劣化，以获得良好的静态特性并实现长寿命。 解决方案：该半导体器件至少具有第一导电类型In x1 （Al 1-y1 Ga y1 ） 1 - x1 P下包层（x1与GaAs晶格匹配）和量子阱层25由InGaP或InAlGaP制成在以多个横向模式堆叠和振荡的半导体激光器中，第一导电类型GaAs衬底21是在（100）平面到（111）A的平面取向上倾斜13度或更大且55度或更小的衬底使用。 点域1 |
| 申请日期 | 2005-05-31 |
| 专利号 | JP2006339311A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2005160535 |
| 公开（公告）号 | JP2006339311A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 柳田 征史 | 佐久間 剛 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87049 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJIFILM HOLDINGS CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大郷 毅. 半導体レーザ. JP2006339311A[P]. 2006-12-14. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2006339311A.PDF（88KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [大郷 毅]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [大郷 毅]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [大郷 毅]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论