-

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	-
其他题名	-
	KAWADA HATSUMI; YAMAMOTO MOTOYUKI; NAGASAKA HIROKO
	1993-10-19
专利权人	TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO
公开日期	1993-10-19
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To ensure the yield of built-in waveguide effect by the difference in effective index, to implement a low threshold value and to oscillate a stable lateral mode at high output power, by providing a structure of two or more coating layers, and specifying the width of a stripe groove and the distance between waveguides. CONSTITUTION:On the (100) surface of an N-GaAs substrate 11, an N-GaAlAs clad layer 12, an undoped GaAlAs active layer 13, a P-GaAlAs clad layer 14 and an N-GaAs current blocking layer 15 are sequentially grown. Photoresist 21 is applied on the layer 15. A stripe shaped window is formed in the resist. Selective etching is performed to the intermediate part of the layer 14 through the layer 15, and a groove 22 is formed. A width W of the bottom surface and a distance (h) from the bottom surface to the active layer 13 are made to be 0.7<=W<=2.0mum and 0.5<=hmum. The resist layer 21 is removed. A P-GaAlAs coating layer 16, a P-GaAlAs coating layer 17 and a P-GaAs contact layer 18 having the different compositions are formed. Electrodes 19 and 20 are formed. Cleavage is performed and a laser element is obtained.
其他摘要	用途：通过有效指数的差异确保内置波导效应的产量，实现低阈值并在高输出功率下振荡稳定的横向模式，通过提供两个或更多涂层的结构，并指定条纹槽的宽度和波导之间的距离。组成：在N-GaAs衬底11的（100）表面上，依次生长N-GaAlAs包层12，未掺杂的GaAlAs有源层13，P-GaAlAs包层14和N-GaAs电流阻挡层15 。将光致抗蚀剂21施加在层15上。在抗蚀剂中形成条形窗口。通过层15对层14的中间部分进行选择性蚀刻，并形成凹槽22。底表面的宽度W和从底表面到有源层13的距离（h）为0.7≤W≤2.0μm和0.5≤hmum。去除抗蚀剂层21。形成具有不同组成的P-GaAlAs涂层16，P-GaAlAs涂层17和P-GaAs接触层18。形成电极19和20。进行切割并获得激光元件。
申请日期	1985-03-27
专利号	JP1993074957B2
专利状态	失效
申请号	JP1985062307
公开（公告）号	JP1993074957B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87045
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	TOKYO SHIBAURA ELECTRIC CO
推荐引用方式 GB/T 7714	KAWADA HATSUMI,YAMAMOTO MOTOYUKI,NAGASAKA HIROKO. -. JP1993074957B2[P]. 1993-10-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1993074957B2.PDF（338KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文