ヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル層および半導体発光素子

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	ヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル層および半導体発光素子
其他题名	ヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル層および半導体発光素子
	松岡隆志
	1998-05-22
专利权人	NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
公开日期	1998-05-22
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】エピタキシャル成長層や基板に歪み、クラック等を発生しないヘテロエピタキシャル成長方法およびその方法により成長したヘテロエピタキシャル層を提供することにある。【解決手段】基板上に、基板とは異なる格子定数を有する半導体層を成長させるヘテロエピタキシャル成長方法が、基板上の所定部位に半導体層を選択成長させるための開口部を有する層を形成して開口部によって基板の所定部位を露出させる工程と、開口部によって露出された基板の表面上に半導体層を選択的にヘテロエピタキシャル成長させる工程とを備えている。
其他摘要	要解决的问题：通过在衬底的特定区域上形成具有开口的层以通过开口暴露衬底的特定部分并且选择性地异质外延生长半导体层，来防止外延生长层和衬底的翘曲或裂纹暴露部分。解决方案：基板单晶3使用蓝宝石。在单晶3的暴露表面上，周期性地横向形成SiO 2膜2，以形成具有开口的层，蓝宝石衬底通过该开口暴露。在衬底单晶3的暴露表面上选择性地生长外延晶体层4.在形成电极之后，对其进行抛光，并且在外延生长的表面上涂覆抗蚀剂作为保护膜，并且从其外延生长刻划衬底表面形成芯片，使用金刚石划线机。因此，在生长的外延晶体中不发生裂纹，并且衬底不会破裂，使得该工艺容易。
申请日期	1996-10-28
专利号	JP1998135140A
专利状态	失效
申请号	JP1996285606
公开（公告）号	JP1998135140A
IPC 分类号	H01L21/20 \| C30B19/12 \| H01L21/203 \| C30B25/18 \| H01S5/00 \| H01L21/205 \| C30B29/38 \| H01L21/02 \| C30B19/00 \| C30B29/10 \| H01S3/18
专利代理人	谷義一 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87041
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	松岡隆志. ヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル層および半導体発光素子. JP1998135140A[P]. 1998-05-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998135140A.PDF（51KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文