半導体レーザー装置

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	半導体レーザー装置
其他题名	半導体レーザー装置
	河西秀典; 林寛; 森本泰司; 兼岩進治; 山口雅広
	1995-10-18
专利权人	シャープ株式会社
公开日期	1995-10-18
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To suppress the deterioration of end faces of a resonator and improve the durability of an element, by increasing the width of a groove passing through an optical absorbing layer in the vicinity of at least one of the end faces of the resonator and widening the width of a stripe in an optical waveguide. CONSTITUTION:A clad layer 12, an active layer 13, and a clad layer 14 are laminated in order. Respective current bottleneck layers 15 which act as optical absorption layers are laminated at each side part in the lateral direction of the clad layer 14 and a through groove is formed in the shape of a stripe. As the current bottleneck layers 15 have through grooves where widths of the through groove are different at parts in the vicinity of respective end faces of a resonator and at a center part of it, the stripe is formed in such a way that it is wide at the parts near each end part and becomes narrow at the center part. The optical waveguide becomes wide in the width direction near the end faces of the resonator and then, the quantity of light which is absorbed by the current bottleneck layers 15 decreases and the quantity of heat generated due to optical absorption decreases. At the center part, the width in the direction of the optical waveguide becomes small and then, even though the laser oscillate with a high output power, a stable foundamental traverse mode is obtained.
其他摘要	目的：通过增加通过谐振器的至少一个端面附近的光学吸收层的沟槽的宽度并加宽，来抑制谐振器端面的劣化并提高元件的耐久性。光波导中条纹的宽度。组成：依次层压包层12，有源层13和包层14。用作光吸收层的各个电流瓶颈层15在包层14的横向方向上的每个侧部分处层叠，并且通槽形成为条纹形状。由于当前的瓶颈层15具有通槽，其中通槽的宽度在谐振器的各个端面附近的部分和其中心部分处是不同的，所以条带以这样的方式形成：每个端部附近的部分在中心部分变窄。光波导在谐振器的端面附近在宽度方向上变宽，然后，由电流瓶颈层15吸收的光量减少，并且由于光吸收产生的热量减少。在中心部分，光波导方向上的宽度变小，然后，即使激光以高输出功率振荡，也可以获得稳定的基波横向模式。
申请日期	1987-12-28
专利号	JP1995097692B2
专利状态	失效
申请号	JP1987335808
公开（公告）号	JP1995097692B2
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/042 \| H01S3/18
专利代理人	山本秀策
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87016
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	河西秀典,林寛,森本泰司,等. 半導体レーザー装置. JP1995097692B2[P]. 1995-10-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1995097692B2.PDF（19KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文