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垂直共振器型双安定半導体レーザ
其他题名垂直共振器型双安定半導体レーザ
植之原 裕行; 岩村 英俊
1994-02-04
专利权人NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
公开日期1994-02-04
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【目的】 全光入力で動作可能であり、外部入力光の結合効率及び波長感度の平坦性に優れた垂直共振器型双安定半導体レーザを得ることを目的とする。 【構成】 利得領域16と可飽和吸収領域12を有する垂直共振器型双安定半導体レーザにおいて、可飽和吸収領域12に対して外部注入光28を結合させるよう光導波路構造を半導体レーザと同一基板上に有している。
其他摘要目的:获得一种垂直谐振器型双稳态半导体激光器,它可以通过全光输出驱动,并且在外部输入光的耦合效率和波导灵敏度的平坦度方面具有优势。组成:在具有增益区域16和可饱和吸收区域12的垂直谐振器型双稳态半导体激光器中,光波导结构设置在与半导体激光器相同的基板上,使得外部注入光28被制成与该地区的夫妇12。
申请日期1992-07-07
专利号JP1994029625A
专利状态失效
申请号JP1992179902
公开(公告)号JP1994029625A
IPC 分类号H01L27/15 | H01S5/00 | H01S3/18
专利代理人杉村 暁秀 (外1名)
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86903
专题半导体激光器专利数据库
作者单位NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
植之原 裕行,岩村 英俊. 垂直共振器型双安定半導体レーザ. JP1994029625A[P]. 1994-02-04.
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