Semiconductor light emitting element and manufacture thereof

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	Semiconductor light emitting element and manufacture thereof
其他题名	Semiconductor light emitting element and manufacture thereof
	KARUISHI MASAYOSHI
	1989-05-01
专利权人	FUJITSU LTD
公开日期	1989-05-01
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To improve frequency characteristics and prevent the deterioration of an element by suppressing the development of a distortion, by laminating the first clad layer and an active layer which are formed in the mesa-striped shape on a semiconductor substrate 1 and then laminating the second clad layer and a contact layer which are formed in an inverted mesa-striped shape by using the active layer 3 as a base. CONSTITUTION:As the first time growth, liquid phase epitaxy is performed at the first n-type InP clad layer 2, an active layer 3, and the second p-type InP clad layer 4 in turn on an n-type InP substrate 1 and a growth stopping layer stripe 5 consisting of SiO2 is formed on the second clad layer 4 and a mesa structure is formed by etching until its etching reach the substrate As the second time growth, a p-type InP filling layer 6, an n-type InP current stopping layer 7, and an n-type InGaAsP etching stopping layer 8 are embedded in turn on an n-type InP substrate 1 and then a mask is removed. As the third Time growth, liquid phase, epitaxy is performed at the second p-type InP clad layer 9 and a p-type InGaAsp contact layer 10.
其他摘要	用途：通过在半导体衬底1上层叠以台面条形状形成的第一覆层和有源层，然后层压第二层，通过抑制变形的发展来改善频率特性并防止元件劣化通过使用有源层3作为基底，以倒置台面条纹形状形成的包层和接触层。组成：第一次生长，液相外延在第一个n型InP包层2，有源层3和第二个p型InP包层4依次在n型InP衬底1和在第二包层4上形成由SiO2构成的生长停止层条纹5，通过蚀刻形成台面结构，直到其蚀刻到达基板随着第二次生长，形成p型InP填充层6，n将类型的InP电流停止层7和n型InGaAsP蚀刻停止层8依次嵌入n型InP衬底1中，然后去除掩模。作为第三时间生长，在第二p型InP包覆层9和p型InGaAsp接触层10中进行液相外延。
申请日期	1987-10-27
专利号	JP1989112791A
专利状态	失效
申请号	JP1987271308
公开（公告）号	JP1989112791A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86898
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJITSU LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	KARUISHI MASAYOSHI. Semiconductor light emitting element and manufacture thereof. JP1989112791A[P]. 1989-05-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1989112791A.PDF（154KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文