Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 窒化物半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| 竹内 哲也; 金子 和; 山田 範秀; 天野 浩; 赤▲崎▼ 勇 | |
| 2000-04-28 | |
| 专利权人 | AGILENT TECHNOL INC |
| 公开日期 | 2000-04-28 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】レーザ発振光の遠視野像が単峰性を示す効率の良い窒化物半導体レーザ素子の構成とその製造方法とを与える。 【解決手段】本発明の窒化物半導体レーザ素子は、AlNを含む低温堆積緩衝層と、クラッド層として該低温堆積緩衝層直上に成長したAlNを含むことにより、クラック発生なく有効に光を閉じ込めができる構造を有する。そして、出射レーザ光の遠視野における強度分布である遠視野像が単峰性を示すように前記窒化物半導体単結晶層の厚さとAlNのモル分率の少なくとも一方を調整できる特徴を有する。 |
| 其他摘要 | 提供一种具有单峰远场激光振荡光图案的有效氮化物半导体激光器件及其制造方法。 解决方案：本发明的氮化物半导体激光器件包含含AlN的低温沉积缓冲层和直接在低温沉积缓冲层上生长的AlN作为包层，从而可以有效地限制光而不会产生裂缝一种可能的结构。其特征在于，可以调节氮化物半导体单晶层的厚度和AlN的摩尔分数中的至少一个，使得作为发射的激光的远场中的强度分布的远场图案显示出单峰特性。 |
| 申请日期 | 1998-10-16 |
| 专利号 | JP2000124552A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998313993 |
| 公开（公告）号 | JP2000124552A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01S5/323 | H01L33/00 | H01S5/20 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 加藤 公久 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86895 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | AGILENT TECHNOL INC |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹内 哲也,金子 和,山田 範秀,等. 窒化物半導体レーザ素子. JP2000124552A[P]. 2000-04-28. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000124552A.PDF（825KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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