Phased array semiconductor lasers

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	Phased array semiconductor lasers
其他题名	Phased array semiconductor lasers
	STREIFER, WILLIAM
	1987-09-30
专利权人	XEROX CORPORATION
公开日期	1987-09-30
授权国家	欧洲专利局
专利类型	发明申请
摘要	A phased array semiconductor laser (30) favoring emission in the 1st or Nth supermode over other potential supermodes of the laser comprising a plurality of spatially disposed laser elements (32-41) formed relative to an active region to provide optical cavities for light wave generation and propagation under lasing conditions and wherein the optical field of laser elements are coupled into the optical cavities of adjacent laser elements to provide a phase locked condition across the array. The position of the outer laser element (32,41) at each end of the array are spaced closer (D¹) to adjacent laser element compared to the spacing (D) provided between all the other of laser elements (33-40) such that the coupling across the array is enhanced to produce at least one supermode with an intensity envelope which for its most part is substantially uniform and rectangular shaped. The optimized optical coupling coefficient between the outer lasing elements and their adjacent laser elements is √2 K, where K is the optical coupling coefficient between the other laser elements. The optical coupling coefficient of √2 K between these outer lasing elements, however, may be within the range of 80% to 120% of √2 K. The phase of some of the laser elements in the array may be reversed 180°.
其他摘要	相控阵半导体激光器（30）有利于在第一或第N超模中发射超过激光器的其他潜在超模，包括相对于有源区形成的多个空间布置的激光元件（32-41），以提供用于光波生成的光学腔在激光条件下传播，并且其中激光元件的光场耦合到相邻激光元件的光学腔中，以在阵列上提供锁相条件。与在所有其他激光元件（33-40）之间提供的间隔（D）相比，阵列每端的外激光元件（32,41）的位置与相邻的激光元件间隔更近（D 1），使得增强阵列上的耦合以产生至少一个具有强度包络的超模，其大部分基本上是均匀的矩形。外激光元件与其相邻激光元件之间的优化光耦合系数是√2K，其中K是其他激光元件之间的光耦合系数。然而，这些外部激光元件之间的√2K的光学耦合系数可以在√2K的80％至120％的范围内。阵列中的一些激光元件的相位可以反转180°。
申请日期	1987-03-24
专利号	EP0239352A2
专利状态	失效
申请号	EP1987302498
公开（公告）号	EP0239352A2
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/068 \| H01S5/40 \| H01S3/19 \| H01S3/23
专利代理人	-
代理机构	HILL, CECILIA ANN
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86880
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	XEROX CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	STREIFER, WILLIAM. Phased array semiconductor lasers. EP0239352A2[P]. 1987-09-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
EP0239352A2.PDF（557KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文