Semiconductor laser

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	Semiconductor laser
其他题名	Semiconductor laser
	SAKIYAMA HAJIME; TANAKA HARUO; MUSHIGAMI MASAHITO
	1990-08-01
专利权人	ROHM CO LTD
公开日期	1990-08-01
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To reduce threshold current and improve current efficiency by forming a first upper-part clad layer and an active layer in the same N type or an undoped layer and forming a P-type dopant ion implantation part at a part corresponding to the stripe groove on the first upper-part clad layer. CONSTITUTION:A lower-part clad layer 21, an N-type or an undoped active layer 22, an N-type or an undoped first upper-part clad layer 23, a light- absorbing layer 24, and an evaporation-prevention layer 25 are laminated in sequence and a first growth layer 2 is formed on a semiconductor substrate An evaporation-prevention layer 25 other than a part for forming a stripe groove 3 is covered with a photo resist 6 and etching is made to the evaporation-prevention layer 25 and the light-absorbing layer 24 so that the light-absorbing layer 24 may be left slightly, thus forming a stripe groove 3 of any width. Then, ion is implanted into the surface of the first upper-clad layer 23 and a P-type dopant ion implantation part 5 is formed at a part corre sponding to the stripe groove S of the first upper-part clad layer 23. The semi conductor substrate 1 is heated while applying As molecular rays, thus evaporat ing impurities such as an oxide adhered to the surface of the substrate 1 and forming a second growth layer 4.
其他摘要	用途：通过在相同的N型或未掺杂的层中形成第一上部包层和有源层，并在与条纹槽对应的部分处形成P型掺杂剂离子注入部分来降低阈值电流并提高电流效率在第一个上部包层上。组成：下部包层21，N型或未掺杂的有源层22，N型或未掺杂的第一上部包层23，光吸收层24和蒸发防止层25按顺序层叠第一生长层2，在半导体衬底1上形成第一生长层2.用光致抗蚀剂6覆盖除形成条纹槽3的部分以外的防蒸发层25，并进行蒸发防止蚀刻层25和光吸收层24使得光吸收层24可以稍微留下，从而形成任何宽度的条纹槽3。然后，将离子注入到第一上包层23的表面中，并在与第一上部包层23的条纹槽S相对应的部分处形成P型掺杂剂离子注入部分5。在施加As分子射线的同时加热导体基板1，从而蒸发附着在基板1的表面上的诸如氧化物的杂质并形成第二生长层4。
申请日期	1989-01-23
专利号	JP1990194586A
专利状态	失效
申请号	JP1989013683
公开（公告）号	JP1990194586A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86866
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ROHM CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	SAKIYAMA HAJIME,TANAKA HARUO,MUSHIGAMI MASAHITO. Semiconductor laser. JP1990194586A[P]. 1990-08-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1990194586A.PDF（316KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文