Semiconductor light-emitting device

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	Semiconductor light-emitting device
其他题名	Semiconductor light-emitting device
	SODA HARUHISA; WAKAO KIYOHIDE
	1986-06-12
专利权人	FUJITSU LTD
公开日期	1986-06-12
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To oscillate a distributed feedback type laser at a single longitudinal mode by adding a grating-band eliminating-filter as second periodic structure. CONSTITUTION:A distributed feedback type diffraction grating 6 is formed on the interface between a first waveguide layer 2 and a first confinement layer A grating-band eliminating-filter 7 is shaped on the interface between a second waveguide layer 4 and a second confinement layer 5. Consequently, transmittance close by a wavelength lambda1 largely reduces, and oscillation at a single longitudinal mode having a wavelength lambda2 is acquired. Accordingly, a distributed feed-back type laser is oscillated at the single longitudinal mode.
其他摘要	目的：通过增加光栅带消除滤波器作为第二周期结构，以单纵模振荡分布式反馈型激光器。组成：分布式反馈型衍射光栅6形成在第一波导层2和第一限制层1之间的界面上。光栅带消除滤波器7在第二波导层4和第二限制之间的界面上成形因此，接近波长λ1的透射率大大降低，并且获得具有波长λ2的单纵模的振荡。因此，分布式反馈型激光器以单纵模振荡。
申请日期	1984-11-22
专利号	JP1986125186A
专利状态	失效
申请号	JP1984247609
公开（公告）号	JP1986125186A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/12 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86820
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJITSU LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	SODA HARUHISA,WAKAO KIYOHIDE. Semiconductor light-emitting device. JP1986125186A[P]. 1986-06-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1986125186A.PDF（152KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文