Buried semiconductor laser element

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Buried semiconductor laser element
其他题名	Buried semiconductor laser element
	KITAMURA SHOJI
	1990-01-18
专利权人	FUJI ELECTRIC CO LTD
公开日期	1990-01-18
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To form a good-quality regrowth layer by forming a buried layer in the form of a superlattice in which GaAs and AlAs thin films are alternately piled up under a condition that the top of the superlattice which is in contact with a second clad layer is a GaAs thin film. CONSTITUTION:A buried layer 4a is a superlattice (GaAs)6.(AlAs)4 which is equivalent to Al0.4Ga0.6As. In order to pile up GaAs and AlAs layers alternately, law gases trimethylgallium and trimethylaluminum are supplied alternately into a reaction chamber of the MOCVD system under the atmospheric pressure of 800 deg.C in which raw gas arsine is always supplied in a specified amount. With the top or the surface of the superlattice which contacts a second clad layer 5a being a GaAs layer which does not contain Al, a stable oxide film is never generated on the surface of the buried layer 4a which is exposed to the air when an SiO2 film on a stripe is removed by etching. As a result, since a crystal can be grown keeping a good surface condition, a semiconductor laser of stable characteristics and much longer life can be obtained.
其他摘要	用途：通过形成超晶格形式的埋层来形成优质再生层，其中GaAs和AlAs薄膜交替堆积在超晶格顶部与第二覆层接触的条件下是一种GaAs薄膜。组成：埋层4a是超晶格（GaAs）6。（AlAs）4，相当于Al0.4Ga0.6As。为了交替堆积GaAs和AlAs层，将法律气体三甲基镓和三甲基铝交替地供应到800℃的大气压下的MOCVD系统的反应室中，其中始终以规定的量供应原料气体胂。在超晶格的顶部或表面与第二覆层5a接触的第二覆层5a是不含Al的GaAs层时，在掩埋层4a的表面上不会产生稳定的氧化膜，当掩埋层4a暴露在空气中时通过蚀刻去除条纹上的膜。结果，由于可以保持晶体保持良好的表面状态，因此可以获得具有稳定特性和更长寿命的半导体激光器。
申请日期	1988-07-01
专利号	JP1990014591A
专利状态	失效
申请号	JP1988164273
公开（公告）号	JP1990014591A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86790
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJI ELECTRIC CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	KITAMURA SHOJI. Buried semiconductor laser element. JP1990014591A[P]. 1990-01-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1990014591A.PDF（162KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文