Manufacture of semiconductor laser

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Manufacture of semiconductor laser
其他题名	Manufacture of semiconductor laser
	IWANO HIDEAKI
	1990-03-07
专利权人	SEIKO EPSON CORP
公开日期	1990-03-07
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To selectively grow a crystal layer having a good characteristic by using a low substrate temperature by a method wherein, after an etching operation via a mask on a double heterojunction layer, a buried layer is irradiated with a beam during its epitaxial growth operation. CONSTITUTION:A ridge is formed by an etching operation using a dielectric film 107; after that, a buried layer 108 is formed, by an MOCVD method, of an n-type AlGaAs layer whose Al composition is larger than that of a clad layer; the layer is irradiated with a beam 109 at a wavelength of 193nm of an excimer laser. Thereby, a deposition is not caused on the dielectric film 107 even when a substrate temperature is at a low temperature of 450 to 550 deg.C; a crystal growth operation progresses only on both sides of the ridge. Since a filling and growth operation can be executed at a low substrate temperature, a defect is not caused at an interface of the buried layer; a long-life semiconductor laser is obtained.
其他摘要	用途：通过一种方法选择性地生长具有良好特性的晶体层，其中在通过双异质结层上的掩模进行蚀刻操作之后，在其外延生长操作期间用光束照射掩埋层。组成：通过使用介电膜107的蚀刻操作形成脊;之后，通过MOCVD法形成掩埋层108，其中Al组分的Al组分大于包层的Al组分;用准分子激光器在193nm波长的光束109照射该层。由此，即使基板温度为450~550℃的低温，也不会在电介质膜107上产生沉积。晶体生长操作仅在脊的两侧进行。由于可以在低衬底温度下执行填充和生长操作，因此在掩埋层的界面处不会产生缺陷。获得了长寿命的半导体激光器。
申请日期	1988-09-01
专利号	JP1990067778A
专利状态	失效
申请号	JP1988219110
公开（公告）号	JP1990067778A
IPC 分类号	H01L21/205 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86718
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SEIKO EPSON CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	IWANO HIDEAKI. Manufacture of semiconductor laser. JP1990067778A[P]. 1990-03-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1990067778A.PDF（154KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文