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OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

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其他题名	-
	HINO ISAO
	1993-08-26
专利权人	NIPPON ELECTRIC CO
公开日期	1993-08-26
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To obtain visible-light semiconductor light-emitting element having excellent performance and reliability by forming a first conduction type third GaAs layer onto the surface of a first GaAs layer not coated with a second GaAs layer shaped onto the surface except one part in the surface of the first conduction type first GaAs layer and the second GaAs layer in double hetero- structure. CONSTITUTION:An n-GaAs buffer layer 42, an n-(Al0.3Ga0.7))0.5In0.5P clad layer 43, an un-doped Ga0.5In0.5P active layer 44, a p-(Al0.3Ga0.7)0.5In0.5P clad layer 45, a p-GaAs layer 46 and an n-GaAs layer 47 are grown on an n-GaAs substrate 4 The n-GaAs layer 47 is etched selectively by using a photo-resist 52 to form a striped opening 5 A p-GaAs layer 48 is grown. AsH3 may be flowed ona MOVPE method in order to protect the substrate at that time. A compound containing Al is not exposed to the surface at that time. Accordingly, a p-GaAs film obtained in this manner is extremely excellent, and a superior electrode is shaped because of an excellent crystal, thus improving the element characteristics and reliability.
其他摘要	目的：通过在第一GaAs层的表面上形成第一导电型第三GaAs层，获得具有优异性能和可靠性的可见光半导体发光元件，该第一GaAs层未涂覆成形在表面上的第二GaAs层，除了在该表面上的一个部分。第一导电型第一GaAs层和第二GaAs层的表面为双异质结构。组成：n-GaAs缓冲层42，n-（Al0.3Ga0.7））0.5In0.5P包层43，未掺杂的Ga0.5In0.5P有源层44，p-（Al0.3Ga0。 7）0.5In0.5P包层45，在n-GaAs衬底41上生长p-GaAs层46和n-GaAs层47.通过使用光致抗蚀剂52选择性地蚀刻n-GaAs层47。形成条纹开口5生长p-GaAs层48。 AsH3可以在MOVPE方法上流动，以便在那时保护基板。此时含Al的化合物不暴露于表面。因此，以这种方式获得的p-GaAs膜非常优异，并且由于优异的晶体而形成优异的电极，因此改善了元件特性和可靠性。
申请日期	1984-09-25
专利号	JP1993058594B2
专利状态	失效
申请号	JP1984200218
公开（公告）号	JP1993058594B2
IPC 分类号	H01S \| H01L33/14 \| H01L \| H01S5/00 \| H01L33/30 \| H01L33/12 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86712
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NIPPON ELECTRIC CO
推荐引用方式 GB/T 7714	HINO ISAO. -. JP1993058594B2[P]. 1993-08-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1993058594B2.PDF（292KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文