光素子およびその製造方法

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	光素子およびその製造方法
其他题名	光素子およびその製造方法
	山添哲也; 上島研一; 田口英夫; 苅田秀孝
	1998-05-22
专利权人	日本オプネクスト株式会社
公开日期	1998-05-22
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】光導波路の端面を被う被膜(パッシベーション膜)の脱落を防止するレーザダイオードの製造方法の提供。【解決手段】レーザダイオードがモノリシックに組み込まれてなる光素子であり、前記レーザダイオードの光導波路の端面が被膜で被われてなる光素子であって、前記被膜が形成される光導波路の端面部分の光素子表面は他の光素子表面部分よりも一段低くなっている。前記被膜が形成される光導波路の端面全体の光素子表面部分が他の光素子表面部分よりも一段低くなっている。前記光導波路の一端面は低反射率膜で被われ、他端面は高反射率膜で被われている。前記レーザダイオードが形成された光素子の表面部分は前記レーザダイオードの光導波路に沿って帯状に高くなっている。
其他摘要	要解决的问题：提供激光二极管制造方法，利用该方法可以防止覆盖光波导的边缘面的钝化膜的脱落。解决方案：在激光二极管1被整合到单片中的光学元件中，激光二极管1的光波导的边缘面被薄膜25和26覆盖。光学元件的表面在薄膜的边缘面上。形成膜25和26的光波导形成得低于其他光学元件的表面部分。而且，形成膜25和26的光波导的整个边缘面的光学元件的表面部分形成得低于其他光学元件的表面部分。上述光波导的一个边缘面被低反射率膜覆盖，另一个边缘面被高反射率膜覆盖。形成激光二极管1的光学元件的表面部分沿着激光二极管1的光波导以带状形式升高。
申请日期	1996-10-30
专利号	JP1998135561A
专利状态	失效
申请号	JP1996287790
公开（公告）号	JP1998135561A
IPC 分类号	H01S5/026 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	秋田収喜
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86704
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本オプネクスト株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	山添哲也,上島研一,田口英夫,等. 光素子およびその製造方法. JP1998135561A[P]. 1998-05-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998135561A.PDF（78KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文