Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser | |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| MIZUYOSHI AKIRA; HARADA AKINORI | |
| 1991-05-23 | |
| 专利权人 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 公开日期 | 1991-05-23 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To enable easy manufacture, high output and long life by providing a superlattice buffer consisting of In1-x3Gax3Asy3P1-3y/In1-x4GaX4Asy4P1-y4 between a clad layer and a substrate. CONSTITUTION:Clad layers 2,3 (In1-x2Gax2Asy2P1-y2) is constituted which lattice- matches to an active layer 1 (Inx1Ga1-x1As). GaAs is adopted for a substrate 5, and a buffer layer 6 of GaAs likewise is formed thereon. A superlattice buffer 4 connects the buffer layer 6 consisting of GaAs and the clad layer 3 consisting of InGaP. The superlattice buffer 4 is formed out of In1-x3Gax3Asy3 P1-y3/In1-x4Gax4Asy4P1-y4. |
| 其他摘要 | 目的：通过在包层和基板之间提供由In1-x3Gax3Asy3P1-3y / In1-x4GaX4Asy4P1-y4组成的超晶格缓冲器，实现轻松制造，高输出和长寿命。组成：包层2,3（In1-x2Gax2Asy2P1-y2）构成与有源层1（Inx1Ga1-x1As）晶格匹配。 GaAs用于衬底5，同样在其上形成GaAs缓冲层6。超晶格缓冲器4连接由GaAs构成的缓冲层6和由InGaP构成的包层3。超晶格缓冲器4由In1-x3Gax3Asy3P1-y3 / In1-x4Gax4Asy4P1-y4形成。 |
| 申请日期 | 1989-10-04 |
| 专利号 | JP1991120888A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1989259490 |
| 公开（公告）号 | JP1991120888A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86702 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | MIZUYOSHI AKIRA,HARADA AKINORI. Semiconductor laser. JP1991120888A[P]. 1991-05-23. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1991120888A.PDF（212KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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