Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Blue light semiconductor laser | |
其他题名 | Blue light semiconductor laser |
SUZUKI TOORU | |
1985-08-27 | |
专利权人 | NIPPON DENKI KK |
公开日期 | 1985-08-27 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | PURPOSE:To realize a high-efficiency visible-light semiconductor laser by a method wherein a crystal, for example ZnS, is used meeting well the lattice alignment conditions of chalcopyrite crystal Cu(AlXGa1-X)S2 equipped with a large band gap. CONSTITUTION:In a semiconductor laser device provided with a double hetero- junction structure wherein an activation layer 14 is sandwiched between clad layers 15, 16, a substrate crystal 11 is composed of ZnS or GaP or Si, the activation layer 14 is composed of Cu(AlXGa1-X)S2, the clad layer 15 of ZuS, clad layer 16 of ZuS or ZnSe or Cu(AlYGa1-Y)S2 with the X and Y satisfying 0 |
其他摘要 | 目的:通过一种方法实现高效可见光半导体激光器,其中使用晶体,例如ZnS,很好地满足配备有大带隙的黄铜矿晶体Cu(AlXGa1-X)S2的晶格排列条件。组成:在具有双异质结结构的半导体激光器件中,其中活化层14夹在包层15,16之间,基板晶体11由ZnS或GaP或Si组成,活化层14由Cu组成(AlXGa1-X)S2,ZuS的包层15,ZuS或ZnSe的包层16或Cu(AlYGa1-Y)S2,其中X和Y满足0 |
申请日期 | 1984-02-06 |
专利号 | JP1985164382A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1984019616 |
公开(公告)号 | JP1985164382A |
IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/32 | H01S3/18 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86667 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | NIPPON DENKI KK |
推荐引用方式 GB/T 7714 | SUZUKI TOORU. Blue light semiconductor laser. JP1985164382A[P]. 1985-08-27. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1985164382A.PDF(133KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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