Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体エピタキシヤル層の製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体エピタキシヤル層の製造方法 |
| 杉浦 勝己 | |
| 1993-04-02 | |
| 专利权人 | 富士通株式会社 |
| 公开日期 | 1993-04-02 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 InP基板上に形成するInx Ga1-x Asy P1-y 層に関し、トラップ濃度の少ない製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 InP基板上に有機金属気相エピタキシャル成長法によりInx Ga1-x Asy P1-y 層の成長を行う際に、InP基板温度を610 ℃以上に保持することを特徴として半導体エピタキシャル層の製造方法を構成する。 |
| 其他摘要 | 目的：通过有机金属气相外延生长方法在InP衬底上生长InxGa1-xAsyP1-y层，同时保持InP衬底温度高于或等于规定值，以降低杂质能级的陷阱浓度。组成：通过使用MOVPE方法并将基板的温度保持在610℃，在n + InP衬底1上依次外延生长以下物质;缓冲层2由n + InP，N型In0.84Ga0.16As0.36P0.64层3和N型InP层4组成.N型In0.84Ga0.16As0的厚度.36P0.64层3和N型InP层4的层数为2μm。通过在N型InP层4中扩散Zn形成p + n结二极管，并测量N型In0.84Ga0.16As0.36P0.64层3中的杂质能级Et2的陷阱浓度通过ICTS方法。所述捕集阱浓度低于或等于2×1011cm-3，这是ICTS设备的检测极限。也就是说，可以降低捕集阱浓度。 |
| 申请日期 | 1991-09-25 |
| 专利号 | JP1993082454A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991243865 |
| 公开（公告）号 | JP1993082454A |
| IPC 分类号 | H01L21/205 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 井桁 貞一 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86661 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杉浦 勝己. 半導体エピタキシヤル層の製造方法. JP1993082454A[P]. 1993-04-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993082454A.PDF（24KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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