多重ビーム型ダイオードレーザアレイ

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	多重ビーム型ダイオードレーザアレイ
其他题名	多重ビーム型ダイオードレーザアレイ
	トーマスエルパオリー
	1995-08-11
专利权人	ゼロックスコーポレイション
公开日期	1995-08-11
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】複数のレーザ光線を放出する半導体ダイオードレーザアレイを提供する。【構成】本発明の半導体ダイオードレーザアレイは、異なる材料から作られた半導体ダイオードレーザを接合して作られる。本発明の半導体ダイオードレーザは、GaAs/AlGaAsの組やGaInP/AlGaInPの組等の組の材料から作ることができる。半導体ダイオードレーザアレイは、所定の第1波長のビームを発する複数の活性領域を有し、表面の縁の近くに電気接続部を有する第1半導体ダイオードレーザと、所定の第2波長のビームを発する複数の活性領域を有し表面の縁の近くに電気接続部を有する第2半導体ダイオードレーザと、両レーザの間に配置され、2つの半導体ダイオードレーザ間に電気的絶縁と間隔を与える絶縁体とから成るモノリシックアレイである。各ダイオードレーザはその波長および材料に最適な異なる構造にでき、これらのダイオードレーザを組み合わせると、異なる特性をもつ複数のレーザ光線を放出する単一光源となる。
其他摘要	提供一种发射多个激光束的半导体二极管激光器阵列。本发明的半导体二极管激光器阵列通过粘合由不同材料制成的半导体二极管激光器制成。本发明的半导体二极管激光器可以从该组的这样的GaAs /的AlGaAs对和由GaInP / AlGaInP中的设置的材料制成。半导体二极管激光器阵列具有多个发射规定的第一波长的光束，靠近表面的发射具有的电连接部，规定的第二波长的光束的第一半导体二极管激光器的边缘有源区的第二半导体二极管激光器具有接近具有多个设置在两个激光之间的有源区的表面的边缘上的电连接部分，绝缘体提供所述两个半导体二极管激光器之间的电绝缘和间距这是一个单片阵列。每个二极管激光器可以最佳不同结构的波长和材料，这些二极管激光器的组合，单个光源发射多个具有不同特性的激光束。
申请日期	1994-12-21
专利号	JP1995211991A
专利状态	失效
申请号	JP1994317423
公开（公告）号	JP1995211991A
IPC 分类号	G02B26/10 \| H01S5/026 \| H01S5/40 \| H01S5/042 \| G02B \| B41J2/455 \| H01S5/02 \| H01S \| B41J2/435 \| B41J \| H01S5/00 \| B41J2/44 \| B41J2/47 \| H01S3/18
专利代理人	中村稔 (外6名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86647
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ゼロックスコーポレイション
推荐引用方式 GB/T 7714	トーマスエルパオリー. 多重ビーム型ダイオードレーザアレイ. JP1995211991A[P]. 1995-08-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1995211991A.PDF（51KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文