Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半導体発光素子 | |
其他题名 | 半導体発光素子 |
倉又 朗人 | |
1995-12-12 | |
专利权人 | FUJITSU LTD |
公开日期 | 1995-12-12 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 【目的】 バンドギャップを大きくする組成を採用しても,クラッド層のキャリア濃度を大きくする。 【構成】 1)II-VI 族化合物半導体を用いて構成される発光素子であって,p型クラッド層がMg, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni の少なくとも1つの元素を含む材料からなる超格子構造である,2)超格子構造を構成する2つの層の内,少なくとも片方の層のみにp型不純物がドーピングされている,3)超格子構造がMgx Zn1-x Sy Se1-y /Mgx'Zn1-x' Se1-y' ,4)前記4に記載のMgの代わりに,Ca,Sc,Ti, V,Cr,Mn,Fe,Co,Niの内のいずれか1つの元素で構成される,5)p型不純物がN, P, As,Sb, Bi, Li, Na, K, Rb,Csの少なくとも1つの元素である。 |
其他摘要 | 目的:为了增加包层中的P型载流子浓度,通过将P型包层构成为由包含选自Mg,Ca,Sc,Ti,V,Cr,Mn中的至少一种元素的材料构成的超晶格结构,Fe,Co和Ni。构成:半导体发光元件由以下部分组成: N-GaAs衬底1,N-MgZnSSe包层2,N-ZnSe光导层3,CdZnSe有源层4,P型ZnSe光导层5,P型MgZnSSe / ZnSSe超晶格包层层6A,P-ZnSSe层7,P-ZnSe接触层8,绝缘膜9,Au电极10和In电极1对于P型超晶格包覆层6A,其中P-MgxZn1 xSySe1-y(厚度为20Ang,x = 0-0.40,y = 0.06-0.56)和P-ZnSySe1-y(厚度为20Ang,y = 0.06)。氮用作掺杂材料,利用该掺杂材料均匀地掺杂超晶格结构。 |
申请日期 | 1994-06-01 |
专利号 | JP1995326817A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1994119950 |
公开(公告)号 | JP1995326817A |
IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
专利代理人 | 井桁 貞一 |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86594 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | FUJITSU LTD |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 倉又 朗人. 半導体発光素子. JP1995326817A[P]. 1995-12-12. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1995326817A.PDF(33KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
个性服务 |
推荐该条目 |
保存到收藏夹 |
查看访问统计 |
导出为Endnote文件 |
谷歌学术 |
谷歌学术中相似的文章 |
[倉又 朗人]的文章 |
百度学术 |
百度学术中相似的文章 |
[倉又 朗人]的文章 |
必应学术 |
必应学术中相似的文章 |
[倉又 朗人]的文章 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论