Nitride semiconductor laser device

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	Nitride semiconductor laser device
其他题名	Nitride semiconductor laser device
	KOHDA, SHINICHI
	2011-01-25
专利权人	ROHM CO., LTD.
公开日期	2011-01-25
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A nitride semiconductor laser device is formed by growing a group III nitride semiconductor multilayer structure on a substrate containing no Al. The group III nitride semiconductor multilayer structure forms a structure including an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, and a light emitting layer held between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer. The n-type semiconductor layer includes an n-type cladding layer containing Al and an n-type guide layer having a smaller band gap than the n-type cladding layer. The p-type semiconductor layer includes a p-type cladding layer containing Al and a p-type guide layer having a smaller band gap than the p-type cladding layer. A removal region is formed by partially removing the layers containing Al in the group III nitride semiconductor multilayer structure from the substrate.
其他摘要	通过在不含Al的衬底上生长III族氮化物半导体多层结构来形成氮化物半导体激光器件。III族氮化物半导体多层结构形成包括n型半导体层，p型半导体层和保持在n型半导体层和p型半导体层之间的发光层的结构。n型半导体层包括含有Al的n型包覆层和具有比n型包覆层小的带隙的n型引导层。p型半导体层包括含有Al的p型包覆层和带隙小于p型包覆层的p型引导层。通过从基板部分地去除III族氮化物半导体多层结构中的包含Al的层来形成去除区域。
申请日期	2008-12-26
专利号	US7876798
专利状态	授权
申请号	US12/344343
公开（公告）号	US7876798
IPC 分类号	H01S5/00
专利代理人	-
代理机构	RABIN & BERDO,PC
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86568
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ROHM CO., LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	KOHDA, SHINICHI. Nitride semiconductor laser device. US7876798[P]. 2011-01-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US7876798.PDF（751KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文