Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor element | |
| 其他题名 | Semiconductor element |
| TADATOMO KAZUYUKI; TOYAMA OSAMU | |
| 1992-09-11 | |
| 专利权人 | MITSUBISHI CABLE IND LTD |
| 公开日期 | 1992-09-11 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To eliminate emission absorption caused by a lattice mismatching buffer layer and obtain bright emission by a semicomductor element constituted if GaInP crystal. CONSTITUTION:A semiconductor element is formed by successively growing multi-layers of a lattice mismatching buffer layer 2 whose major ingredient is AlGaInP, a GaInP activating layer 4 and AlGaInP clad layers 3 and 5 on a GaP substrate The maximum band gap of mixed crystal which constitutes the lattice mismatching buffer layer 2 is permitted to be larger than the band gap of the activating layer 4 by 0.05eV or more. Thus, since the emission absorption of the lattice mismatching buffer layer 2 is eliminated, the emission brightness of the element is provided and emission directions are not limited. |
| 其他摘要 | 目的：消除由晶格失配缓冲层引起的发射吸收，并通过GaInP晶体构成的半导体元件获得明亮的发射。组成：半导体元件是通过在GaP衬底1上连续生长多层晶格失配缓冲层2（其主要成分是AlGaInP），GaInP活化层4和AlGaInP复合层3和5而形成的。混合的最大带隙构成晶格失配缓冲层2的晶体允许比激活层4的带隙大0.05eV或更多。因此，由于消除了晶格失配缓冲层2的发射吸收，所以提供元件的发光亮度并且发光方向不受限制。 |
| 申请日期 | 1991-02-08 |
| 专利号 | JP1992257276A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991039085 |
| 公开（公告）号 | JP1992257276A |
| IPC 分类号 | H01L21/20 | H01L33/06 | H01L33/10 | H01L33/28 | H01L33/30 | H01L33/36 | H01S5/00 | H01S5/042 | H01L33/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86567 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI CABLE IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | TADATOMO KAZUYUKI,TOYAMA OSAMU. Semiconductor element. JP1992257276A[P]. 1992-09-11. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1992257276A.PDF（102KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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