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半導体レーザ装置
其他题名半導体レーザ装置
福久 敏哉; 萬濃 正也; 古川 秀利
2007-06-07
专利权人MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期2007-06-07
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】導体レーザ装置の共振器長を変えることなく、半導体レーザ装置の高出力化を図ることを目的とする。 【解決手段】複数のコーナーミラー201等により光が反射して伝播するように屈折した導波路を形成することにより、劈開により形成される反射鏡間の距離である共振器長の増加を抑えながらも、実効的な導波路の長さである実効共振器長は伸ばして熱飽和により制限される光出力を増加することが可能となる。 【選択図】図1
其他摘要要解决的问题:提供一种半导体激光器件,可以在不改变半导体激光器件的谐振器长度的情况下实现高输出。 ŽSOLUTION:半导体激光器件可以通过延长波导路径的有效谐振器长度来增加受热饱和度限制的光输出,同时抑制谐振器长度的增加,作为由通过切割面形成的反射镜(角镜201)之间的距离。以传播在角镜201等中反射的光的方式形成折射波导路径。 Ž
申请日期2005-11-21
专利号JP2007142227A
专利状态失效
申请号JP2005335093
公开(公告)号JP2007142227A
IPC 分类号H01S5/22 | H01S5/10 | H01S5/40 | H01S5/00
专利代理人板垣 孝夫 | 森本 義弘 | 笹原 敏司 | 原田 洋平
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86512
专题半导体激光器专利数据库
作者单位MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
福久 敏哉,萬濃 正也,古川 秀利. 半導体レーザ装置. JP2007142227A[P]. 2007-06-07.
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