Surface emission type semiconductor laser

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	Surface emission type semiconductor laser
其他题名	Surface emission type semiconductor laser
	TAKAMIYA SABURO; HIGUCHI HIDEYO
	1988-04-26
专利权人	三菱電機株式会社
公开日期	1988-04-26
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To monitor beams emitted from a second main surface by monolithically forming a photodetector such as a photodiode to the second main surface. CONSTITUTION:Beams L generated in an active layer 1 are reflected, using a first main surface 5 and another surface 13 as mirror surfaces, thus conducting laser oscillation. Beams are monitored by a photodiode 15 consisting of P-type clad layer 3 and an N-type contact layer 10 at that time, and an optical output emitted can be kept constant. The forbidden band width of an N-type contact layer 10 shaping one part of the photodiode 15 is controlled so that absorptance to laser beams during the reciprocation of the layer 10 is brought to 50% or less. The control can be executed by controlling the composition of the N-type contact layer 10 or controlling thickness thereof, but it can also be adjusted by fluctuating bias voltage applied to a P-N junction consisting of the P-type clad layer 3 and the N-type contact layer 10.
其他摘要	目的：通过在第二主表面上单片形成光电探测器（如光电二极管）来监测从第二主表面发射的光束。组成：使用第一主表面5和另一个表面13作为镜面反射在有源层1中产生的光束L，从而进行激光振荡。此时，由P型包层3和N型接触层10构成的光电二极管15监视光束，并且发出的光输出可以保持恒定。控制形成光电二极管15的一部分的N型接触层10的禁带宽度，使得在层10的往复运动期间对激光束的吸收率达到50％或更小。可以通过控制N型接触层10的组成或控制其厚度来执行控制，但是也可以通过施加到由P型覆层3和N构成的PN结的波动偏压来调节控制。型接触层10。
申请日期	1986-10-09
专利号	JP1988095690A
专利状态	失效
申请号	JP1986241654
公开（公告）号	JP1988095690A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/026 \| H01S5/042 \| H01S5/183 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86481
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三菱電機株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	TAKAMIYA SABURO,HIGUCHI HIDEYO. Surface emission type semiconductor laser. JP1988095690A[P]. 1988-04-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1988095690A.PDF（197KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文