Semiconductor laser device

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	Semiconductor laser device
其他题名	Semiconductor laser device
	TAMURA HIDEO; KURIHARA HARUKI; SAGARA MINORU; MATSUMOTO KENJI
	1984-11-13
专利权人	TOSHIBA KK
公开日期	1984-11-13
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To suppress the deformation of the groove shape formed on the substrate to the utmost without causing a growth failure at crystal growth by arranging AlxGa1-xAs (0.1<=x<=1) layers which function only as deformation-preventing layers at least at two positions, upper and lowr positions within an n- GaAs layer as a current blocking layer. CONSTITUTION:On a p-GaAs substrate 20, a deformation preventing layer 21 consisting of n-Al0.4Ga0.6As, a current blocking layer 22 of n-GaAs, a deformation preventing layer 23 of n-Al0.4Ga0.6As and a cap layer 24 of n-GaAs are successively crystal-grown to 0.05mum, 0.6mum, 0.05mum and 0.05mum thick respectively. After that, a groove 25 is formed so as to reach the substrate 20. On that substrate, a p-Al0.45Ga0.55As first clad layer 26, a Ga0.9Al0.1As active layer 27, an n-Al0.45Ga0.55As second clad layer 28 and an n-GaAs ohmic layer 29 are successively crystal-grown, on which electrodes 30 and 31 are formed. In this constitution, a width of the groove (w) is limitted by the deformation preventing layer 23 and a current contructive width (u) is limitted by the deformation preventing layer 2 Consequently, the shape of the groove is hardly deformed and the optical characteristics nearly as desired in the design can be obtained.
其他摘要	用途：通过排列AlxGa1-xAs（0.1 <= x <= 1）层至少起到防止变形层的作用，最大限度地抑制在基板上形成的沟槽形状的变形，而不会在晶体生长中造成生长失败在两个位置，n-GaAs层内的上部和下部位置作为电流阻挡层。组成：在p-GaAs衬底20上，由n-Al0.4Ga0.6As组成的变形防止层21，n-GaAs的电流阻挡层22，n-Al0.4Ga0.6As的变形防止层23和a n-GaAs的盖层24依次晶体生长到0.05μm，0.6μm，0.05μm和0.05μm厚。之后，形成凹槽25以便到达基板20.在该基板上，形成p-Al 0.45 Ga 0.55 As第一包层26，Ga0.9Al0.1As有源层27，n-Al0.45Ga0。在第二包层28和n-GaAs欧姆层29上依次进行晶体生长，在其上形成电极30和31。在这种结构中，沟槽（w）的宽度受到变形防止层23的限制，并且电流构造宽度（u）受到变形防止层21的限制。因此，沟槽的形状几乎不变形和光学可以获得几乎与设计中所需的特性。
申请日期	1983-04-27
专利号	JP1984200483A
专利状态	失效
申请号	JP1983072934
公开（公告）号	JP1984200483A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/223 \| H01S5/24 \| H01S5/32 \| H01S5/323 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86476
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	TOSHIBA KK
推荐引用方式 GB/T 7714	TAMURA HIDEO,KURIHARA HARUKI,SAGARA MINORU,et al. Semiconductor laser device. JP1984200483A[P]. 1984-11-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1984200483A.PDF（161KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文