半導体レーザ

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	半導体レーザ
其他题名	半導体レーザ
	池田昌夫; 中野一志; 戸田淳
	1998-11-06
专利权人	ソニー株式会社
公开日期	1999-01-20
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To improve lifetime and static characteristics, by causing the carrier concentration of a p-type clad layer in a double hetero structure of the AlGaInP semiconductor laser to come to a low level in a region part from an active layer up to the prescribed distance and to come to a high concentration in a remaining region that is apart from the above prescribed distance. CONSTITUTION:A MOCVD process allows an n-type (Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P clad layer 3; an undoped Ga0.5In0.5P active layer 4; a p-type (Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P clad layer 11 having two stages of positive concentration distribution where the doping amount of Zn, that is, a positive hole concentration is a low concentration p1 and a region separated by a distance d from an active layer comes to a high concentration p2 by increasing the doping amount of Zn; and a p-type GaAs cap layer 6 to grow one after another on an n-type GaAs substrate 2. Required ions are implanted in such a way that ions reaches the p-type AlGaInP clad layer 11 by leaving the center part of the cap layer 6 in a stripe form and a semiconductor laser 12 is made up by forming an ion-implanted high resistance layer 7.
其他摘要	用途：通过使AlGaInP半导体激光器的双异质结构中的p型覆层的载流子浓度在从有源层到预定距离的区域部分中达到低水平，来改善寿命和静态特性并且在远离上述规定距离的剩余区域中达到高浓度。组成：MOCVD工艺允许n型（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5P包层3;未掺杂的Ga0.5In0.5P有源层4;具有两级正浓度分布的p型（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5P包层11，其中Zn的掺杂量，即，正空穴浓度是低浓度p1和由a分开的区域。通过增加Zn的掺杂量，有源层的距离d达到高浓度p2;在n型GaAs衬底2上一个接一个地生长p型GaAs盖层6.以离子到达p型AlGaInP包层11的方式注入所需的离子，留下盖子的中心部分通过形成离子注入的高电阻层7来制成条形的层6和半导体激光器12。
申请日期	1987-12-29
专利号	JP2847702B2
专利状态	失效
申请号	JP1987332386
公开（公告）号	JP2847702B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	松隈秀盛
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86469
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ソニー株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	池田昌夫,中野一志,戸田淳. 半導体レーザ. JP2847702B2[P]. 1998-11-06.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2847702B2.PDF（35KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文