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金锡薄膜的制备装置和方法
其他题名金锡薄膜的制备装置和方法
孙广伟; 辛国锋; 皮浩洋; 封惠忠; 于阿滨; 蔡海文; 瞿荣辉
2015-01-21
专利权人中国科学院上海光学精密机械研究所
公开日期2015-01-21
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要一种金锡薄膜制备装置和方法,该装置包括蒸发室、公转轴、公转盘、固定轴、工件架、推杆、支撑架、滑槽、电极和蒸发舟,通过推杆的移动推动Au球和Sn球沿着滑槽滚动落到蒸发舟上从而实现AuSn薄膜的制备,本发明可以精确控制AuSn薄膜中Au和Sn的厚度和比例,得到的薄膜具有结构致密、成分分布均匀的特点,在半导体激光器封装领域具有很高的应用价值。
其他摘要一种金锡薄膜制备装置和方法,该装置包括蒸发室、公转轴、公转盘、固定轴、工件架、推杆、支撑架、滑槽、电极和蒸发舟,通过推杆的移动推动Au球和Sn球沿着滑槽滚动落到蒸发舟上从而实现AuSn薄膜的制备,本发明可以精确控制AuSn薄膜中Au和Sn的厚度和比例,得到的薄膜具有结构致密、成分分布均匀的特点,在半导体激光器封装领域具有很高的应用价值。
申请日期2014-10-23
专利号CN104294218A
专利状态授权
申请号CN20141057142X
公开(公告)号CN104294218A
IPC 分类号C23C14/14 | C23C14/26
专利代理人张泽纯 | 张宁展
代理机构上海新天专利代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86456
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院上海光学精密机械研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
孙广伟,辛国锋,皮浩洋,等. 金锡薄膜的制备装置和方法. CN104294218A[P]. 2015-01-21.
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