VCSEL激光器与硅基光子集成电路中光栅结构的耦合方法

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	VCSEL激光器与硅基光子集成电路中光栅结构的耦合方法
其他题名	VCSEL激光器与硅基光子集成电路中光栅结构的耦合方法
	田野
	2017-07-14
专利权人	湖南城市学院
公开日期	2017-07-14
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种能偏折垂直腔面发光激光器的光线的VCSEL激光器与硅基光子集成电路中光栅结构的耦合方法，其特征是在硅基耦合光栅结构的表面制作光学中介件，或在VCSEL激光器裸片出光面制作光学中介件；本发明基于半导体加工工艺中常见的光刻技术，采用的flip‑chip工艺，能与CMOS技术兼容，在稳定性，重复性和加工效率上都可适应规模化制造的要求，进而降低PIC的生产成本；用灰度光刻技术在硅基耦合光栅或VCSEL裸片的表面制作具有偏折光线效果的楔形结构，使VCSEL发出的激光能够通过光栅结构被有效耦合到PIC中；获得的结构中VCSEL的电学连接有好的对称性，避免注入VCSEL激光器的电流的分布，及热效应造成的温升不对称，有利于VCSEL激光器保持工作状态。
其他摘要	本发明公开了一种能偏折垂直腔面发光激光器的光线的VCSEL激光器与硅基光子集成电路中光栅结构的耦合方法，其特征是在硅基耦合光栅结构的表面制作光学中介件，或在VCSEL激光器裸片出光面制作光学中介件；本发明基于半导体加工工艺中常见的光刻技术，采用的flip‑chip工艺，能与CMOS技术兼容，在稳定性，重复性和加工效率上都可适应规模化制造的要求，进而降低PIC的生产成本；用灰度光刻技术在硅基耦合光栅或VCSEL裸片的表面制作具有偏折光线效果的楔形结构，使VCSEL发出的激光能够通过光栅结构被有效耦合到PIC中；获得的结构中VCSEL的电学连接有好的对称性，避免注入VCSEL激光器的电流的分布，及热效应造成的温升不对称，有利于VCSEL激光器保持工作状态。
申请日期	2017-05-22
专利号	CN106950660A
专利状态	申请中
申请号	CN201710362416.1
公开（公告）号	CN106950660A
IPC 分类号	G02B6/42
专利代理人	王芳
代理机构	益阳市银城专利事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86355
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	湖南城市学院
推荐引用方式 GB/T 7714	田野. VCSEL激光器与硅基光子集成电路中光栅结构的耦合方法. CN106950660A[P]. 2017-07-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106950660A.PDF（119KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文