激光二极管元件、其驱动方法以及激光二极管装置

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	激光二极管元件、其驱动方法以及激光二极管装置
其他题名	激光二极管元件、其驱动方法以及激光二极管装置
	仓本大; 大木智之; 菅原智也; 横山弘之
	2011-01-19
专利权人	索尼公司
公开日期	2011-01-19
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供了一种超短脉冲和超高功率激光二极管元件，其能够以简单成分和简单结构输出具有更高峰值功率的脉冲激光。所述激光二极管元件包括：层叠结构，其包括包含n型杂质的第一化合物半导体层、具有量子阱结构的活性层以及包含p型杂质的第二化合物半导体层；第一电极，其电连接于所述第一化合物半导体层；以及第二电极，其电连接于所述第二化合物半导体层，其中，所述第二化合物半导体层设有厚度为5×10-8m以上的电子势垒层，且由具有阈值电流值的10倍以上大小的值的脉冲电流进行驱动。通过将激光二极管元件与可商业获得的电驱动电子元件组合，可以容易地得到具有瓦级以上峰值光强度的激光二极管装置(激光源)。
其他摘要	本发明提供了一种超短脉冲和超高功率激光二极管元件，其能够以简单成分和简单结构输出具有更高峰值功率的脉冲激光。所述激光二极管元件包括：层叠结构，其包括包含n型杂质的第一化合物半导体层、具有量子阱结构的活性层以及包含p型杂质的第二化合物半导体层；第一电极，其电连接于所述第一化合物半导体层；以及第二电极，其电连接于所述第二化合物半导体层，其中，所述第二化合物半导体层设有厚度为5×10-8m以上的电子势垒层，且由具有阈值电流值的10倍以上大小的值的脉冲电流进行驱动。通过将激光二极管元件与可商业获得的电驱动电子元件组合，可以容易地得到具有瓦级以上峰值光强度的激光二极管装置(激光源)。
申请日期	2010-07-02
专利号	CN101950922A
专利状态	失效
申请号	CN201010223995.X
公开（公告）号	CN101950922A
IPC 分类号	H01S5/042 \| H01S5/06
专利代理人	褚海英 \| 武玉琴
代理机构	北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86296
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	索尼公司
推荐引用方式 GB/T 7714	仓本大,大木智之,菅原智也,等. 激光二极管元件、其驱动方法以及激光二极管装置. CN101950922A[P]. 2011-01-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101950922A.PDF（1968KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文