一种GaAs基PHEMT和垂直腔面发射激光器

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	一种GaAs基PHEMT和垂直腔面发射激光器
其他题名	一种GaAs基PHEMT和垂直腔面发射激光器
	王智勇; 高鹏坤; 王青; 郑建华
	2015-07-01
专利权人	北京工业大学
公开日期	2015-07-01
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种GaAs基PHEMT和垂直腔面发射激光器，该激光器由GaAs基PHEMT和VCSEL两部分组成，所述GaAs基PHEMT和所述VCSEL被腐蚀截止层InGaP隔开；所述GaAs基PHEMT由在GaAs衬底上依次分子束外延生长的第一缓冲层GaAs、十五个周期的Al0.22Ga0.78As/GaAs超晶格层、沟道下势垒层Al0.22Ga0.78As、沟道层In0.2Gao0.8As、空间隔离层Al0.22Ga0.78As、平面掺杂层、势垒层Al0.22Ga0.78As、N型高掺杂盖帽层GaAs构成；所述VCSEL由在腐蚀截止层InGaP上依次分子束外延生长的第二GaAs缓冲层、34.5对λ0/4光学厚度的Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As N型下分布布拉格反射镜层、Al0.2Ga0.8As/GaAs有源层、3对λ0/4光学厚度的Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As P型分布布拉格反射镜层、Al0.98Ga0.02As氧化限制层、25对λ0/4光学厚度的Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As P型上分布布拉格反射镜层、GaAs帽层。
其他摘要	一种GaAs基PHEMT和垂直腔面发射激光器，该激光器由GaAs基PHEMT和VCSEL两部分组成，所述GaAs基PHEMT和所述VCSEL被腐蚀截止层InGaP隔开；所述GaAs基PHEMT由在GaAs衬底上依次分子束外延生长的第一缓冲层GaAs、十五个周期的Al0.22Ga0.78As/GaAs超晶格层、沟道下势垒层Al0.22Ga0.78As、沟道层In0.2Gao0.8As、空间隔离层Al0.22Ga0.78As、平面掺杂层、势垒层Al0.22Ga0.78As、N型高掺杂盖帽层GaAs构成；所述VCSEL由在腐蚀截止层InGaP上依次分子束外延生长的第二GaAs缓冲层、34.5对λ0/4光学厚度的Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As N型下分布布拉格反射镜层、Al0.2Ga0.8As/GaAs有源层、3对λ0/4光学厚度的Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As P型分布布拉格反射镜层、Al0.98Ga0.02As氧化限制层、25对λ0/4光学厚度的Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As P型上分布布拉格反射镜层、GaAs帽层。
申请日期	2015-03-11
专利号	CN104752953A
专利状态	授权
申请号	CN201510107058.0
公开（公告）号	CN104752953A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/343
专利代理人	沈波
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86277
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王智勇,高鹏坤,王青,等. 一种GaAs基PHEMT和垂直腔面发射激光器. CN104752953A[P]. 2015-07-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104752953A.PDF（658KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文