Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 紧凑芯片中的长半导体激光腔 | |
| 其他题名 | 紧凑芯片中的长半导体激光腔 |
| A·贝法尔; C·斯塔盖瑞斯库 | |
| 2016-04-20 | |
| 专利权人 | 镁可微波技术有限公司 |
| 公开日期 | 2016-04-20 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 紧凑芯片中的长半导体激光腔。通过使用由蚀刻面形成的全内反射(TIR)表面，长半导体激光器腔体被放置在相对较短长度的芯片里。在一个实施例中，通过使用成三个45度角的TIR表面来连接界定激光腔的四段脊波导或掩埋异质结构(BH)波导，沿着矩形半导体芯片的周边边界形成激光腔。在其他实施例中，甚至使用更多TIR表面和波导段或节段，制造矩形或四边形螺旋结构形状的更长的激光腔。这些结构被限制在邻近波导部分的间隙中，如果其中间隙太小，会引起节段之间的不被期望的耦合。但是，使用邻近部分之间的蚀刻凹槽已被证明可减少这种耦合效应。 |
| 其他摘要 | 紧凑芯片中的长半导体激光腔。通过使用由蚀刻面形成的全内反射(TIR)表面，长半导体激光器腔体被放置在相对较短长度的芯片里。在一个实施例中，通过使用成三个45度角的TIR表面来连接界定激光腔的四段脊波导或掩埋异质结构(BH)波导，沿着矩形半导体芯片的周边边界形成激光腔。在其他实施例中，甚至使用更多TIR表面和波导段或节段，制造矩形或四边形螺旋结构形状的更长的激光腔。这些结构被限制在邻近波导部分的间隙中，如果其中间隙太小，会引起节段之间的不被期望的耦合。但是，使用邻近部分之间的蚀刻凹槽已被证明可减少这种耦合效应。 |
| 申请日期 | 2011-10-25 |
| 专利号 | CN105514800A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201610091174.2 |
| 公开（公告）号 | CN105514800A |
| IPC 分类号 | H01S5/10 |
| 专利代理人 | 李玲 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86155 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 镁可微波技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | A·贝法尔,C·斯塔盖瑞斯库. 紧凑芯片中的长半导体激光腔. CN105514800A[P]. 2016-04-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN105514800A.PDF（2294KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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