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金属反射鏡を持つ表面反射型レーザーダイオードの製造方法
其他题名金属反射鏡を持つ表面反射型レーザーダイオードの製造方法
洪瑞華; 武東星; 彭韋智; 何文章; 黄英勳
2003-03-14
专利权人CHUNGHWA TELECOM CO LTD
公开日期2003-03-14
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】低価格化、時間の短縮化及び高精度化を図ることができる金属反射鏡を持つ表面反射型レーザーダイオードの製造方法を提供する。 【解決手段】本発明に係る金属反射鏡を持つ表面反射型レーザーダイオードの製造方法は、金属ミラーにWaferボンデッド技術を組み合わせたもので、従来のWafers方式あるいは高温高圧Waferボンデッド技術によってVCSELを製作するBargg反射鏡に取って替わるものである。金属ミラーは高反射率を持ち、VCSEL材料と形成するオームコンタクトの金属を選択することが可能である。また、金属ミラーの基板は、価格が安く放熱効果のよい基板を選択することができる。その製作過程は簡単で、製作コストも低く押さえることが可能で、VCSELの特性が良好であるという特徴を持つ。
其他摘要要解决的问题:提供一种具有金属反射镜的表面反射型激光二极管的制造方法,能够实现成本降低,时间缩短和高精度。 根据本发明的制造具有金属反射器的表面反射型激光二极管的方法是金属镜和晶片键合技术的组合,VCSEL通过传统的晶片法或高温高压晶片键合技术制造。巴格取代了镜子。金属镜具有高反射率,并且可以选择用VCSEL材料形成的欧姆接触的金属。此外,金属镜的基板可以选择价格低且散热效果好的基板。其制造工艺简单,制造成本低,VCSEL的特性良好。
申请日期2001-08-28
专利号JP2003078206A
专利状态失效
申请号JP2001258536
公开(公告)号JP2003078206A
IPC 分类号H01S5/183
专利代理人山口 朔生 (外2名)
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86109
专题半导体激光器专利数据库
作者单位CHUNGHWA TELECOM CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
洪瑞華,武東星,彭韋智,等. 金属反射鏡を持つ表面反射型レーザーダイオードの製造方法. JP2003078206A[P]. 2003-03-14.
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