Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
分布反馈半导体激光芯片及其制备方法、光模块 | |
其他题名 | 分布反馈半导体激光芯片及其制备方法、光模块 |
方瑞禹; 徐晓颖 | |
2017-10-03 | |
专利权人 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 |
公开日期 | 2017-10-03 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明实公开了一种分布反馈半导体激光芯片及其制备方法、光模块,具体的,在一个激光芯片中设计两个或两个以上的宽度不同的有源区,并且各有源区上的光栅通过解离形成的光栅端面相位相同。由于激光器的有效折射率Neff由有源区材料、宽度、厚度等因素决定,因此芯片中的其它因素相同的前提下,上述有源区宽度不同的芯片单元对应的有效折射率Neff也不同。同时,DFB激光器输出波长受Neff影响,所以激光芯片中有源区宽度的变化,最终引起各有源区输出波长的变化。进一步的,波长不同的两个激光器,在相同的光栅端面相位下,边摸抑制比也不同,因此,可以从一个芯片的各有源区对应的芯片单元中挑选出边摸抑制比性能更优越的单元进行封装,提高芯片良率。 |
其他摘要 | 本发明实公开了一种分布反馈半导体激光芯片及其制备方法、光模块,具体的,在一个激光芯片中设计两个或两个以上的宽度不同的有源区,并且各有源区上的光栅通过解离形成的光栅端面相位相同。由于激光器的有效折射率Neff由有源区材料、宽度、厚度等因素决定,因此芯片中的其它因素相同的前提下,上述有源区宽度不同的芯片单元对应的有效折射率Neff也不同。同时,DFB激光器输出波长受Neff影响,所以激光芯片中有源区宽度的变化,最终引起各有源区输出波长的变化。进一步的,波长不同的两个激光器,在相同的光栅端面相位下,边摸抑制比也不同,因此,可以从一个芯片的各有源区对应的芯片单元中挑选出边摸抑制比性能更优越的单元进行封装,提高芯片良率。 |
申请日期 | 2017-07-17 |
专利号 | CN107230931A |
专利状态 | 申请中 |
申请号 | CN201710580776 |
公开(公告)号 | CN107230931A |
IPC 分类号 | H01S5/12 | H01S5/34 |
专利代理人 | 逯长明 | 许伟群 |
代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86097 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 方瑞禹,徐晓颖. 分布反馈半导体激光芯片及其制备方法、光模块. CN107230931A[P]. 2017-10-03. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN107230931A.PDF(216KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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