高功率半导体激光器加工系统

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	高功率半导体激光器加工系统
其他题名	高功率半导体激光器加工系统
	王敏; 蔡磊; 郑艳芳; 宋涛; 刘兴胜
	2014-01-29
专利权人	西安炬光科技股份有限公司
公开日期	2014-01-29
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种高功率半导体激光器加工系统。该高功率半导体激光器加工系统的光束聚焦模块的夹持机构通过散热块安装固定于壳体的内底面；在光束聚焦模块的镜片夹持接触位置设置有导热缓冲垫层；在壳体内部设置有密封的水冷通道，该水冷通道自进水口至出水口在壳体底部形成环形水路，主要分为进水段、弯折部A、弯折部B以及出水段，其中进水段和出水段分别位于壳体内部两侧平行设置，在散热块与对应位置的壳体的内底面之间，设置有沿光束聚焦模块径向弯折的通道作为所述弯折部A，用于对光束聚焦模块散热；弯折部B位于壳体的前端头部环绕保护窗口，用于对保护窗口散热。本发明的高功率半导体激光加工系统体积小，质量轻，散热效果好。
其他摘要	本发明提供一种高功率半导体激光器加工系统。该高功率半导体激光器加工系统的光束聚焦模块的夹持机构通过散热块安装固定于壳体的内底面；在光束聚焦模块的镜片夹持接触位置设置有导热缓冲垫层；在壳体内部设置有密封的水冷通道，该水冷通道自进水口至出水口在壳体底部形成环形水路，主要分为进水段、弯折部A、弯折部B以及出水段，其中进水段和出水段分别位于壳体内部两侧平行设置，在散热块与对应位置的壳体的内底面之间，设置有沿光束聚焦模块径向弯折的通道作为所述弯折部A，用于对光束聚焦模块散热；弯折部B位于壳体的前端头部环绕保护窗口，用于对保护窗口散热。本发明的高功率半导体激光加工系统体积小，质量轻，散热效果好。
申请日期	2013-10-29
专利号	CN103537795A
专利状态	授权
申请号	CN201310525919.8
公开（公告）号	CN103537795A
IPC 分类号	B23K26/00 \| B23K26/14 \| B23K26/70 \| H01S5/024
专利代理人	胡乐
代理机构	西安智邦专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86015
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	西安炬光科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	王敏,蔡磊,郑艳芳,等. 高功率半导体激光器加工系统. CN103537795A[P]. 2014-01-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103537795A.PDF（553KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文