用于大功率半导体激光器列阵的热膨胀系数可调节热沉

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	用于大功率半导体激光器列阵的热膨胀系数可调节热沉
其他题名	用于大功率半导体激光器列阵的热膨胀系数可调节热沉
	程东明
	2013-07-17
专利权人	郑州大学
公开日期	2013-07-17
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开一种用于大功率半导体激光器列阵的热膨胀系数可调节热沉，它的步骤如下：将AlN和ZrW2O8按照质量比为1:1~20:1混合后放入球磨机中混合均匀，将混合料在50~100MPa、1200~1700℃保压1~60min压制成型。本发明将AlN和ZrW2O8按一定的比例结合起来，由于ZrW2O8是负热膨胀材料，当与AlN结合的时候，能够降低AlN的热膨胀系数，最终制备出来的材料的热膨胀系数接近砷化镓，适宜于大功率半导体激光器阵列。另外，本发明只需要采用球磨机球磨、并采用普通热压法即可生产出相应材料，其制备工艺简单、操作性强。
其他摘要	本发明公开一种用于大功率半导体激光器列阵的热膨胀系数可调节热沉，它的步骤如下：将AlN和ZrW2O8按照质量比为1:1~20:1混合后放入球磨机中混合均匀，将混合料在50~100MPa、1200~1700℃保压1~60min压制成型。本发明将AlN和ZrW2O8按一定的比例结合起来，由于ZrW2O8是负热膨胀材料，当与AlN结合的时候，能够降低AlN的热膨胀系数，最终制备出来的材料的热膨胀系数接近砷化镓，适宜于大功率半导体激光器阵列。另外，本发明只需要采用球磨机球磨、并采用普通热压法即可生产出相应材料，其制备工艺简单、操作性强。
申请日期	2012-01-12
专利号	CN103208735A
专利状态	失效
申请号	CN201210007517.4
公开（公告）号	CN103208735A
IPC 分类号	H01S5/024
专利代理人	霍彦伟
代理机构	郑州中原专利事务所有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86001
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	郑州大学
推荐引用方式 GB/T 7714	程东明. 用于大功率半导体激光器列阵的热膨胀系数可调节热沉. CN103208735A[P]. 2013-07-17.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103208735A.PDF（193KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文