Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半导体激光二极管 | |
其他题名 | 半导体激光二极管 |
克里斯蒂安·劳尔; 哈拉尔德·柯尼希; 乌韦·施特劳斯; 亚历山大·巴赫曼 | |
2014-08-06 | |
专利权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
公开日期 | 2014-08-06 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 提出一种具有下述特征的半导体激光二极管:半导体层序列(2),所述半导体层序列具有带有有源层(23)的彼此竖直叠加施加的半导体层(21,22,23,25,26),所述有源层具有宽度大于或等于30μm的有源区域(24),所述有源区域在运行时经由辐射耦合输出面(11)放射激光辐射,其中辐射耦合输出面(11)通过半导体层序列(2)的侧面形成并且与相对置的后侧面(12)一起在纵向方向上形成具有侧向的增益导引的共振器,并且其中半导体层序列(2)通过在热影响区域(29)中工作而变热;金属化层(3),所述金属化层与半导体层序列(2)的上侧(20)直接接触,其中上侧(20)通过半导体覆盖层(25)形成;和导出热量的结构化的层(4);所述导出热量的结构化的层位于半导体层序列(2)的上侧(20)上,其中导出热量的结构化的层(4)至少具有金属化层(3),其中金属化层(3)具有累加宽度(B1)并且累加宽度(B1)与热影响区域(29)的宽度(B2)的比值与距辐射耦合输出面(11)的间距相关地变化,其中导出热量的结构化的层(4)能够实现从有源区域(24)中的热量导出,所述热量导出沿着纵向方向和/或侧向方向变化。 |
其他摘要 | 提出一种具有下述特征的半导体激光二极管:半导体层序列(2),所述半导体层序列具有带有有源层(23)的彼此竖直叠加施加的半导体层(21,22,23,25,26),所述有源层具有宽度大于或等于30μm的有源区域(24),所述有源区域在运行时经由辐射耦合输出面(11)放射激光辐射,其中辐射耦合输出面(11)通过半导体层序列(2)的侧面形成并且与相对置的后侧面(12)一起在纵向方向上形成具有侧向的增益导引的共振器,并且其中半导体层序列(2)通过在热影响区域(29)中工作而变热;金属化层(3),所述金属化层与半导体层序列(2)的上侧(20)直接接触,其中上侧(20)通过半导体覆盖层(25)形成;和导出热量的结构化的层(4);所述导出热量的结构化的层位于半导体层序列(2)的上侧(20)上,其中导出热量的结构化的层(4)至少具有金属化层(3),其中金属化层(3)具有累加宽度(B1)并且累加宽度(B1)与热影响区域(29)的宽度(B2)的比值与距辐射耦合输出面(11)的间距相关地变化,其中导出热量的结构化的层(4)能够实现从有源区域(24)中的热量导出,所述热量导出沿着纵向方向和/或侧向方向变化。 |
申请日期 | 2012-11-19 |
专利号 | CN103975490A |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201280059153.2 |
公开(公告)号 | CN103975490A |
IPC 分类号 | H01S5/024 | H01S5/10 | H01S5/20 | H01S5/042 | H01S5/022 |
专利代理人 | 丁永凡 | 李德山 |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85946 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 克里斯蒂安·劳尔,哈拉尔德·柯尼希,乌韦·施特劳斯,等. 半导体激光二极管. CN103975490A[P]. 2014-08-06. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN103975490A.PDF(2522KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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