Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半导体激光器件 | |
其他题名 | 半导体激光器件 |
渡边将司; 本多正治; 岩村康弘; 清水源; 井上哲郎 | |
2005-12-07 | |
专利权人 | 三洋电机株式会社 |
公开日期 | 2005-12-07 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 提供了一种半导体激光器件(1),包括在气密密封的封装(2)之中的半导体激光器元件(3),所述半导体激光器元件具有由基于AlGaAs的晶体、基于AlGaInP的晶体、基于AlGaN的晶体、或基于InGaN的晶体组成的有源区。封装(2)中的环境气体是含氧的气体。半导体激光器元件(3)在激光发射表面具有介电氧化膜。环境气体是氧和氮的混合物,并且氧的含量被设定在20%或更高。 |
其他摘要 | 提供了一种半导体激光器件(1),包括在气密密封的封装(2)之中的半导体激光器元件(3),所述半导体激光器元件具有由基于AlGaAs的晶体、基于AlGaInP的晶体、基于AlGaN的晶体、或基于InGaN的晶体组成的有源区。封装(2)中的环境气体是含氧的气体。半导体激光器元件(3)在激光发射表面具有介电氧化膜。环境气体是氧和氮的混合物,并且氧的含量被设定在20%或更高。 |
申请日期 | 2004-04-23 |
专利号 | CN1706081A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | CN200480001367.X |
公开(公告)号 | CN1706081A |
IPC 分类号 | H01S5/022 |
专利代理人 | 王永刚 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85943 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 三洋电机株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡边将司,本多正治,岩村康弘,等. 半导体激光器件. CN1706081A[P]. 2005-12-07. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN1706081A.PDF(423KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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