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半导体激光器件
其他题名半导体激光器件
渡边将司; 本多正治; 岩村康弘; 清水源; 井上哲郎
2005-12-07
专利权人三洋电机株式会社
公开日期2005-12-07
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要提供了一种半导体激光器件(1),包括在气密密封的封装(2)之中的半导体激光器元件(3),所述半导体激光器元件具有由基于AlGaAs的晶体、基于AlGaInP的晶体、基于AlGaN的晶体、或基于InGaN的晶体组成的有源区。封装(2)中的环境气体是含氧的气体。半导体激光器元件(3)在激光发射表面具有介电氧化膜。环境气体是氧和氮的混合物,并且氧的含量被设定在20%或更高。
其他摘要提供了一种半导体激光器件(1),包括在气密密封的封装(2)之中的半导体激光器元件(3),所述半导体激光器元件具有由基于AlGaAs的晶体、基于AlGaInP的晶体、基于AlGaN的晶体、或基于InGaN的晶体组成的有源区。封装(2)中的环境气体是含氧的气体。半导体激光器元件(3)在激光发射表面具有介电氧化膜。环境气体是氧和氮的混合物,并且氧的含量被设定在20%或更高。
申请日期2004-04-23
专利号CN1706081A
专利状态失效
申请号CN200480001367.X
公开(公告)号CN1706081A
IPC 分类号H01S5/022
专利代理人王永刚
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85943
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三洋电机株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
渡边将司,本多正治,岩村康弘,等. 半导体激光器件. CN1706081A[P]. 2005-12-07.
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CN1706081A.PDF(423KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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