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分布反馈注入放大半导体激光器
其他题名分布反馈注入放大半导体激光器
李润兵; 陈立; 熊宗元; 王谨; 詹明生
2010-07-21
专利权人中国科学院武汉物理与数学研究所
公开日期2010-07-21
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明公开了一种分布反馈注入放大半导体激光器,由主激光器、第一光隔离器、锥形激光放大器、第二光隔离器、微弱光探测激光功率稳定系统和激光整形系统六个部分组成,主激光器采用分布反馈半导体激光管,准直后的激光束经过第一光隔离器后注入锥形激光放大芯片,放大激光通过第二光隔离器后采用光束分离技术,光电探测器探测放大激光的功率波动,其误差信号通过反馈电路送入锥形激光放大器的电流控制接口,通过负反馈机制提高放大后输出激光的功率稳定性,光通过激光整形系统后输出准直的高斯光束。本发明结构紧凑,方便调节,激光线宽窄,功率高,稳定性好,实用性强。
其他摘要本发明公开了一种分布反馈注入放大半导体激光器,由主激光器、第一光隔离器、锥形激光放大器、第二光隔离器、微弱光探测激光功率稳定系统和激光整形系统六个部分组成,主激光器采用分布反馈半导体激光管,准直后的激光束经过第一光隔离器后注入锥形激光放大芯片,放大激光通过第二光隔离器后采用光束分离技术,光电探测器探测放大激光的功率波动,其误差信号通过反馈电路送入锥形激光放大器的电流控制接口,通过负反馈机制提高放大后输出激光的功率稳定性,光通过激光整形系统后输出准直的高斯光束。本发明结构紧凑,方便调节,激光线宽窄,功率高,稳定性好,实用性强。
申请日期2008-01-10
专利号CN101237121B
专利状态失效
申请号CN200810046664.6
公开(公告)号CN101237121B
IPC 分类号H01S5/00 | H01S5/12 | H01S5/026 | H01S5/06
专利代理人王敏锋
代理机构武汉宇晨专利事务所
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85807
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院武汉物理与数学研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李润兵,陈立,熊宗元,等. 分布反馈注入放大半导体激光器. CN101237121B[P]. 2010-07-21.
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