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激光二极管设备
其他题名激光二极管设备
乌韦·施特劳斯; 森克·陶茨; 艾尔弗雷德·莱尔; 克莱门斯·菲尔海利希
2014-12-24
专利权人欧司朗光电半导体有限公司
公开日期2014-12-24
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要提出一种激光二极管设备,所述激光二极管设备具有带有安装部件(11)的壳体(1)和在壳体(1)中在安装部件(11)上的基于氮化物-化合物导体材料的激光二极管芯片(2),其中激光二极管芯片(2)借助于焊料层(3)直接安装在安装部件(11)上并且焊料层(3)具有大于或等于3μm的厚度。
其他摘要提出一种激光二极管设备,所述激光二极管设备具有带有安装部件(11)的壳体(1)和在壳体(1)中在安装部件(11)上的基于氮化物-化合物导体材料的激光二极管芯片(2),其中激光二极管芯片(2)借助于焊料层(3)直接安装在安装部件(11)上并且焊料层(3)具有大于或等于3μm的厚度。
申请日期2013-03-11
专利号CN104247172A
专利状态失效
申请号CN201380019818.1
公开(公告)号CN104247172A
IPC 分类号H01S5/022 | H01S5/024 | H01S5/323
专利代理人丁永凡 | 张春水
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85782
专题半导体激光器专利数据库
作者单位欧司朗光电半导体有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
乌韦·施特劳斯,森克·陶茨,艾尔弗雷德·莱尔,等. 激光二极管设备. CN104247172A[P]. 2014-12-24.
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CN104247172A.PDF(1554KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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